公开(公告)号：CN109817568B

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN201811182488.9

申请日：2018-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： J.A.基特尔 ,  G.海格德 ,  H.西姆卡

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明涉及一种用于集成电路的互连及其制造方法，该方法包括：形成包括至少一个线的互连布局，所述至少一个线包括非扩散材料；在线上形成扩散阻挡层；形成开口，该开口完全延伸穿过扩散阻挡层并暴露线的一部分；在扩散阻挡层上沉积扩散层，使得扩散层的一部分接触线的所述部分；以及使扩散层热反应以形成金属性互连。使扩散层热反应将扩散层的材料化学地扩散到所述至少一个线中，并导致至少一个晶粒沿着所述至少一个线的长度从至少一个成核位置生长，所述至少一个成核位置被限定在扩散层的所述部分与线的所述部分之间的界面处。

公开(公告)号：CN109817568A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811182488.9

申请日：2018-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： J.A.基特尔 ,  G.海格德 ,  H.西姆卡

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明涉及一种用于集成电路的互连及其制造方法，该方法包括：形成包括至少一个线的互连布局，所述至少一个线包括非扩散材料；在线上形成扩散阻挡层；形成开口，该开口完全延伸穿过扩散阻挡层并暴露线的一部分；在扩散阻挡层上沉积扩散层，使得扩散层的一部分接触线的所述部分；以及使扩散层热反应以形成金属性互连。使扩散层热反应将扩散层的材料化学地扩散到所述至少一个线中，并导致至少一个晶粒沿着所述至少一个线的长度从至少一个成核位置生长，所述至少一个成核位置被限定在扩散层的所述部分与线的所述部分之间的界面处。