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公开(公告)号：CN1607664A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN200410098174.2
申请日：2004-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/60
CPC classification number: H01L27/0251
Abstract: 本发明提供了一种具有输入/输出静电释放(I/OESD)保护单元的集成电路装置。这种集成电路装置包括一种I/O ESD保护单元，其中该I/O ESD保护单元包括连接在I/O衬垫和VDD线之间的VDDESD保护部件、连接在I/O衬垫和Vss线之间的接地电压(Vss)ESD保护部件以及连接在VDD线和Vss线之间的电源箝位部件，并且I/O ESD保护单元中的VDDESD保护部件、电源箝位部件以及Vss ESD保护部件之间相互位置邻近，从而它们能连成一条直线，或部分重叠。
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公开(公告)号：CN102569356A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110431885.7
申请日：2011-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/0255 , H01L23/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具有保护环的半导体装置、显示驱动器电路和显示设备。该半导体装置包括：半导体基底，具有第一导电类型；至少两个第一阱区域，在半导体基底中具有第二导电类型和预定深度；至少一个第二阱区域，在每个第一阱区域中具有第一导电类型和预定深度；保护环区域，具有第二导电类型和预定深度，并位于第一阱区域之间，以与第一阱区域分开预定的距离。保护环区域连接到地电压。
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公开(公告)号：CN100459117C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200410098174.2
申请日：2004-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/60
CPC classification number: H01L27/0251
Abstract: 本发明提供了一种具有输入/输出静电释放(I/O ESD)保护单元的集成电路装置。这种集成电路装置包括一种I/O ESD保护单元，其中该I/O ESD保护单元包括连接在I/O衬垫和VDD线之间的VDDESD保护部件、连接在I/O衬垫和Vss线之间的接地电压(Vss)ESD保护部件以及连接在VDD线和Vss线之间的电源箝位部件，并且I/O ESD保护单元中的VDDESD保护部件、电源箝位部件以及Vss ESD保护部件之间相互位置邻近，从而它们能连成一条直线，或部分重叠。
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公开(公告)号：CN117766521A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311143260.X
申请日：2023-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种静电放电器件及包括该静电放电器件的显示驱动芯片。所述静电放电(ESD)器件可以包括：半导体衬底；半导体衬底中的基础阱；在基础阱内的、包括具有第一导电类型的第一杂质区的第一区；在基础阱中的、与第一区在水平方向上间隔开并且包括具有第二导电类型的第二杂质区的第二区；在第一杂质区上与第一杂质区在垂直方向上至少部分地交叠的第一硅化物层；以及在第二杂质区上与第一硅化物层在水平方向上间隔开的第二硅化物层。第二硅化物层可以与第二杂质区在垂直方向上至少部分地交叠。第二导电类型可以与第一导电类型相反。
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公开(公告)号：CN105097786B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201510239430.3
申请日：2015-05-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L23/60 , H01L27/0266 , H01L2924/0002 , H02H9/04 , H02H9/046 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及一种操作半导体器件中的静电放电电路的方法。所述半导体器件包括：第一驱动器，其被构造为响应于驱动信号将焊盘的电压电平上拉至第一电源电压；第二驱动器，其被构造为响应于驱动信号将焊盘的电压电平下拉至第二电源电压；开关保护电阻器，其被构造为响应于开关控制信号改变焊盘与第二驱动器之间的电阻；以及静电放电检测器，其被构造为检测第一电源电压或第二电源电压的电压电平，并且产生开关控制信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103972303B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201410033871.3
申请日：2014-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L27/02 , H01L21/329 , H01L21/28 , H01L21/8249
Abstract: 本发明提供了一种二极管、ESD保护电路、制造二极管的方法以及同时制造二极管和PLDMOS晶体管的方法。所述方法如下。在N型外延层的第一上部中形成N型阱区域。在N型外延层的第二上部中形成P型漂移区域。在N型阱区域中形成N型掺杂区域。在P型漂移区域中形成P型掺杂区域。在P型漂移区域中形成隔离结构。隔离结构设置在N型阱区域和P型掺杂区域之间。在N型外延层的一部分上形成第一电极。N型外延层的所述一部分设置在N型阱区域和P型漂移区域之间。第一电极与隔离结构的一部分叠置。形成连接结构以电结合N型掺杂区域和第一电极。
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公开(公告)号：CN105097786A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510239430.3
申请日：2015-05-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L23/60 , H01L27/0266 , H01L2924/0002 , H02H9/04 , H02H9/046 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及一种操作半导体器件中的静电放电电路的方法。所述半导体器件包括：第一驱动器，其被构造为响应于驱动信号将焊盘的电压电平上拉至第一电源电压；第二驱动器，其被构造为响应于驱动信号将焊盘的电压电平下拉至第二电源电压；开关保护电阻器，其被构造为响应于开关控制信号改变焊盘与第二驱动器之间的电阻；以及静电放电检测器，其被构造为检测第一电源电压或第二电源电压的电压电平，并且产生开关控制信号。
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公开(公告)号：CN103715672A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310454234.9
申请日：2013-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H02H3/20 , H01L27/0266 , H02H9/04 , H02H9/043 , H02H9/046
Abstract: 箝位电路、半导体装置和半导体装置的箝位方法。所述半导体装置包括：第一高压晶体管，具有栅极和第一电极，其中，第一电极连接到第一焊盘并且寄生电容形成在栅极和第一电极之间；箝位电路，连接到第一高压晶体管的栅极，其中，箝位电路检测由于静电放电导致的第一高压晶体管的栅极电压的电平变化，并且根据检测结果将第一高压晶体管的栅极电压箝位。
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公开(公告)号：CN115775799A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211080214.5
申请日：2022-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 提供了一种静电放电(ESD)器件以及包括该静电放电器件的显示驱动芯片。所述ESD器件可以包括半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区、第二区和器件隔离结构。所述第一区可以包括具有第一导电类型的第一杂质区、具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二杂质区、第一基阱和位于所述第一基阱中的第一阱。所述器件隔离结构可以位于所述第一杂质区与所述第二杂质区之间。所述第一基阱可以在所述衬底中围绕所述第一杂质区、所述第二杂质区和所述器件隔离结构的下部。所述第一阱可以具有所述第一导电类型。所述第一阱可以在第一方向上与所述器件隔离结构间隔开，且所述第一基阱的一部分位于所述第一阱与所述器件隔离结构之间。
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