公开(公告)号：CN108133935A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201710805628.2

申请日：2017-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩升煜 ,  洪守珍 ,  李昱烈

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/11

CPC classification number: H01L27/10823 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76877 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10897 ,  H01L28/90 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/4236 ,  H01L27/10829 ,  H01L27/1104

Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括：半导体基底；沟槽隔离层，位于半导体基底上，并且被构造为限定有源区；多衬垫层，位于包括沟槽隔离层的沟槽的内侧壁上。多衬垫层可以包括位于沟槽的内侧壁上的第一衬垫层、位于第一衬垫层上的第二衬垫层以及位于第二衬垫层上的第三衬垫层。

公开(公告)号：CN108711571B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201810281544.8

申请日：2018-04-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩升煜 ,  金泽龙 ,  山田悟 ,  林浚熙 ,  许基宰

IPC: H01L27/02 ,  H10B69/00 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体器件包括：第一有源区域和第二有源区域，第一有源区域和第二有源区域在衬底上在第一方向上延伸并且在交叉第一方向的第二方向上彼此间隔开，其中第一有源区域和第二有源区域在第二方向上彼此重叠；第三有源区域，其在衬底上在第一方向上延伸并且在第二方向上与第一有源区域间隔开。第一有源区域在第二方向上定位在第二有源区域与第三有源区之间。第一有源区域和第三有源区域在第二方向上部分地重叠，并且器件隔离膜被构造为限定第一有源区域至第三有源区域。

公开(公告)号：CN113948515A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110531734.2

申请日：2021-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴瑞龙 ,  韩升煜 ,  J·安 ,  李基硕 ,  崔允荣 ,  洪智硕

IPC: H01L27/108

Abstract: 一种半导体存储器装置包括：衬底,其具有单元阵列区、第一界面区和第二界面区，单元阵列区设有有源区；单元阵列区和第二界面区上的位线；电介质图案，其位于位线的顶表面上，并沿着位线的顶表面延伸，并且还延伸至第一界面区上；器件隔离图案，其位于衬底上，并且包括单元阵列区上的第一部分和第一界面区上的第二部分，第一部分限定有源区，第二部分设有第一凹部，并且每个第一凹部布置在两个邻近的电介质图案之间；以及第一牺牲半导体图案，其布置在第一界面区上，并且在第一凹部中。第一牺牲半导体图案包括多晶硅。

公开(公告)号：CN108711571A

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201810281544.8

申请日：2018-04-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩升煜 ,  金泽龙 ,  山田悟 ,  林浚熙 ,  许基宰

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/115 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/092 ,  G11C11/4085 ,  G11C11/4097 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823878 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L27/115 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684

Abstract: 一种半导体器件包括：第一有源区域和第二有源区域，第一有源区域和第二有源区域在衬底上在第一方向上延伸并且在交叉第一方向的第二方向上彼此间隔开，其中第一有源区域和第二有源区域在第二方向上彼此重叠；第三有源区域，其在衬底上在第一方向上延伸并且在第二方向上与第一有源区域间隔开。第一有源区域在第二方向上定位在第二有源区域与第三有源区之间。第一有源区域和第三有源区域在第二方向上部分地重叠，并且器件隔离膜被构造为限定第一有源区域至第三有源区域。

公开(公告)号：CN103367369B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201310103506.0

申请日：2013-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全南镐 ,  金俊秀 ,  山田悟 ,  李在训 ,  韩升煜 ,  金志永 ,  李进成

IPC: H01L27/11517

CPC classification number: H01L29/7831 ,  G11C11/403 ,  G11C11/40615 ,  G11C11/4097 ,  G11C2207/2227 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115

Abstract: 各半导体存储器件可以包括：写入晶体管，其包括用于控制第一源极/漏极端子的第一写入栅极和用于控制沟道区的第二写入栅极；以及读取晶体管，其包括与所述写入晶体管的第一源极/漏极端子连接的存储节点栅极。所述第一写入栅极可以具有第一功函数，并且所述第二写入栅极可以具有与所述第一功函数不同的第二功函数。所述写入晶体管的第一源极/漏极端子可以不具有PN结。

公开(公告)号：CN103367369A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310103506.0

申请日：2013-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全南镐 ,  金俊秀 ,  山田悟 ,  李在训 ,  韩升煜 ,  金志永 ,  李进成

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L29/7831 ,  G11C11/403 ,  G11C11/40615 ,  G11C11/4097 ,  G11C2207/2227 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115

Abstract: 各半导体存储器件可以包括：写入晶体管，其包括用于控制第一源极/漏极端子的第一写入栅极和用于控制沟道区的第二写入栅极；以及读取晶体管，其包括与所述写入晶体管的第一源极/漏极端子连接的存储节点栅极。所述第一写入栅极可以具有第一功函数，并且所述第二写入栅极可以具有与所述第一功函数不同的第二功函数。所述写入晶体管的第一源极/漏极端子可以不具有PN结。