公开(公告)号：CN108155173B

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN201711261582.9

申请日：2017-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪镇宇 ,  金大益 ,  尹灿植 ,  李基硕 ,  韩东珉 ,  张成豪 ,  黄有商 ,  金奉秀 ,  朴济民

IPC: H01L23/50 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件包括基板，该基板包括包含单元有源区域的单元阵列区域。绝缘图案在基板上。绝缘图案包括暴露单元有源区域并且延伸到单元有源区域中的直接接触孔。直接接触导电图案在直接接触孔中并且连接到单元有源区域。位线在绝缘图案上。位线连接到直接接触导电图案并且在垂直于绝缘图案的上表面的方向上延伸。绝缘图案包括包含非金属基电介质材料的第一绝缘图案和在第一绝缘图案上的第二绝缘图案。第二绝缘图案包括具有比第一绝缘图案的介电常数高的介电常数的金属基电介质材料。

公开(公告)号：CN108155173A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711261582.9

申请日：2017-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪镇宇 ,  金大益 ,  尹灿植 ,  李基硕 ,  韩东珉 ,  张成豪 ,  黄有商 ,  金奉秀 ,  朴济民

IPC: H01L23/50 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76802 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/0886 ,  H01L23/50

Abstract: 一种半导体器件包括基板，该基板包括包含单元有源区域的单元阵列区域。绝缘图案在基板上。绝缘图案包括暴露单元有源区域并且延伸到单元有源区域中的直接接触孔。直接接触导电图案在直接接触孔中并且连接到单元有源区域。位线在绝缘图案上。位线连接到直接接触导电图案并且在垂直于绝缘图案的上表面的方向上延伸。绝缘图案包括包含非金属基电介质材料的第一绝缘图案和在第一绝缘图案上的第二绝缘图案。第二绝缘图案包括具有比第一绝缘图案的介电常数高的介电常数的金属基电介质材料。