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公开(公告)号：CN1734942B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200510075561.9
申请日：2005-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03K19/0185
CPC classification number: H03K3/356113 , H03K3/012
Abstract: 一种电压电平移位电路，包括：第一级，其接收具有电压电平VCC和VSS的输入信号，其中VCC＞VSS，并输出互补第一和第二中间信号，其中，所述互补第一和第二中间信号具有电压电平VIhigh和VIlow，其中VIhigh＞VIlow；和第二级，其接收所述第一和第二中间信号，并输出互补第一和第二输出信号，其中所述互补第一和第二输出信号具有电压电平VOhigh和VOlow，其中VOhigh＞VOlow，其中VIhigh＞VOhigh或VOlow＜VOlow，和其中VOhigh＞VCC和VOlow＜VSS。
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公开(公告)号：CN1734672B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200510081939.6
申请日：2005-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/409 , G11C7/00
CPC classification number: G11C11/4091 , G11C11/4094 , G11C2207/005
Abstract: 一种半导体存储器，包括：存储单元阵列；读出放大器；隔离器件，被置于读出放大器和存储单元阵列的位线之间；以及电路，用于在隔离器件将位线与读出放大器电隔离时将包含于存储单元阵列的存储单元中的电荷传送到位线，并且，在将电荷传送到位线之后，用于使隔离器件将位线电连接到读出放大器。
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公开(公告)号：CN1734942A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510075561.9
申请日：2005-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03K19/0185
CPC classification number: H03K3/356113 , H03K3/012
Abstract: 一种电压电平移位电路，包括：第一级，其接收具有电压电平Vcc和Vss的输入信号，其中Vcc＞Vss，并输出互补第一和第二中间信号，其中，所述互补第一和第二中间信号具有电压电平VIhigh和VIlow，其中VIhigh＞VIlow；和第二级，其接收所述第一和第二中间信号，并输出互补第一和第二输出信号，其中所述互补第一和第二输出信号具有电压电平VOhigh和VOlow，其中VOhigh＞VOlow，其中VIhigh＞VOhigh或VOlow＜VOlow，和其中VOhigh＞Vcc和VOlow＜Vss。
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公开(公告)号：CN111048137B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201910962886.0
申请日：2019-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了高电压切换电路、非易失性存储器件和存储系统。该高电压切换电路包括第一晶体管、第一耗尽型晶体管、电平转换器、控制信号发生器、第二晶体管和第二耗尽型晶体管。第一晶体管响应于第一栅极信号，将第二驱动电压传输到输出端子。第一耗尽型晶体管响应于来自所述输出端子的反馈，将第二驱动电压传输到第一晶体管。控制信号发生器响应于电平转换后的使能信号，生成第一控制信号和第二控制信号。第二晶体管具有接收第一电压的栅电极，并且响应于第二晶体管的第一端处的第二控制信号而导通或截止。第二耗尽型晶体管连接在第二晶体管的第二端与所述输出端子之间，并且具有接收第一控制信号的栅电极。
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公开(公告)号：CN111162674A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911087312.X
申请日：2019-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种电荷泵包括：充电单元，包括连接在被配置为接收输入电压的输入端子和第一节点之间的第一n型晶体管、连接在输入端子和第二节点之间的第二n型晶体管、被配置为基于第一时钟信号控制第一n型晶体管的第一栅极控制元件和被配置为基于具有与第一时钟信号相反相位的第二时钟信号控制第二n型晶体管的第二栅极控制元件；第一泵浦电容器，包括连接到第一节点的一端和被配置为接收第一时钟信号的另一端；第二泵浦电容器，包括连接到第二节点的一端和被配置为接收第二时钟信号的另一端；和输出单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1734672A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510081939.6
申请日：2005-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/409 , G11C7/00
CPC classification number: G11C11/4091 , G11C11/4094 , G11C2207/005
Abstract: 一种半导体存储器，包括：存储单元阵列；读出放大器；隔离器件，被置于读出放大器和存储单元阵列的位线之间；以及电路，用于在隔离器件将位线与读出放大器电隔离时将包含于存储单元阵列的存储单元中的电荷传送到位线，并且，在将电荷传送到位线之后，用于使隔离器件将位线电连接到读出放大器。
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公开(公告)号：CN111081290B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN201910806442.8
申请日：2019-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供用于存储器装置的动态电力控制系统和存储器装置。一种用于存储器装置的动态电力控制系统包括：外部电力输入端，从所述存储器装置的外部的电力管理电路接收第一输出电流；可变电荷泵，接收第二输入电压和第二输入电流，将所述第二输入电压升高到第二输出电压，并且将所述第二输出电压和第二输出电流输出到所述存储器装置；以及反馈控制器，用于将所述第一输出电流和所述第一输入电流的比与所述第二输出电流和所述第二输入电流的比进行比较，并且根据比较结果，选择所述电力管理电路和所述可变电荷泵中的一个以向所述存储器装置供应电力。
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公开(公告)号：CN110957282B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN201910466682.8
申请日：2019-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体封装包括第一存储器芯片至第三存储器芯片。第一存储器芯片布置在封装衬底上，第二存储器芯片布置在第一存储器芯片上，并且第三存储器芯片布置在第一存储器芯片与第二存储器芯片之间。第一存储器芯片至第三存储器芯片中的每一个包括存储数据的存储器单元阵列、应力检测器、应力指数发生器和控制电路。应力检测器形成并分布在衬底中，并响应于外部电压检测堆叠应力以输出多个感测电流。应力指数发生器将多个感测电流转换为应力指数代码。控制电路基于应力指数代码的至少一部分来调整与对应存储器芯片的工作电压相关联的特征参数的值。
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公开(公告)号：CN111048137A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201910962886.0
申请日：2019-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了高电压切换电路、非易失性存储器件和存储系统。该高电压切换电路包括第一晶体管、第一耗尽型晶体管、电平转换器、控制信号发生器、第二晶体管和第二耗尽型晶体管。第一晶体管响应于第一栅极信号，将第二驱动电压传输到输出端子。第一耗尽型晶体管响应于来自所述输出端子的反馈，将第二驱动电压传输到第一晶体管。控制信号发生器响应于电平转换后的使能信号，生成第一控制信号和第二控制信号。第二晶体管具有接收第一电压的栅电极，并且响应于第二晶体管的第一端处的第二控制信号而导通或截止。第二耗尽型晶体管连接在第二晶体管的第二端与所述输出端子之间，并且具有接收第一控制信号的栅电极。
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公开(公告)号：CN111009267A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201910822645.6
申请日：2019-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；以及电压发生器，其被配置为将电压供应到存储器单元阵列。电压发生器包括电荷泵电路、开关电路和级控制器。电荷泵电路包括多个泵单元，并且被配置为根据多个泵单元中的已经接收到输入电压的泵单元的数量来输出泵电压和泵电流。开关电路被配置为输出泵电压。级控制器被配置为接收与泵电流相对应的输入信号，并执行产生用于控制将要被驱动的泵单元的数量的级控制信号的级控制操作。
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