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发明公开
半导体器件审中-实审

公开(公告)号：CN116406226A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202211309072.5

申请日：2022-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡弘植 , 金泰均 , 李珍秀 , 闵孝善 , 丁炯硕 , 崔在亨 , 韩东旭

IPC: H10N97/00 , H10B12/00

Abstract: 提供一种半导体器件。所述半导体器件包括基底上的底部电极。在平面图中，支撑图案设置在底部电极之间。顶部电极覆盖底部电极和支撑图案。介电层设置在底部电极与顶部电极之间以及支撑图案与顶部电极之间。盖图案插置在底部电极与介电层之间以及支撑图案与介电层之间。盖图案覆盖支撑图案的侧表面的至少一部分，并且延伸以覆盖支撑图案的顶表面和底部电极的顶表面。

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