公开(公告)号：CN114075118B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202110917652.1

申请日：2021-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟秀 ,  金相模 ,  权殷淑 ,  南成虎 ,  裵惠珍 ,  印守康

IPC: C07C211/61 ,  C09K11/06 ,  H10K85/60 ,  H10K50/155 ,  H10K50/165

Abstract: 提供胺化合物和包括其的有机发光器件，所述胺化合物由式1表示。式1中的取代基和参数的描述与在详述的说明书中提供的相同。式1#imgabs0#

公开(公告)号：CN116178445A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202210874042.2

申请日：2022-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵惠珍 ,  金煌奭 ,  闵珉植 ,  朴商浩 ,  田顺玉 ,  崔惠成 ,  姜昊锡 ,  金钟秀 ,  金重赫 ,  南成虎

IPC: C07F15/00 ,  C09K11/06 ,  H10K50/10 ,  H10K85/00

Abstract: 公开有机金属化合物和包括其的有机发光器件。所述有机金属化合物由式1表示，其中，在式1中，M1为元素周期表的第一行过渡金属、元素周期表的第二行过渡金属、或元素周期表的第三行过渡金属，L11为由式1‑1表示的配体，L12为单齿配体或双齿配体，n11为1，且n12为0、1、或2，其中其它基团和参数如详细描述中所描述的。式1M1(L11)n11(L12)n12式1‑1。

公开(公告)号：CN109810045B

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN201811396674.2

申请日：2018-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈明善 ,  印守康 ,  金钟秀 ,  金重赫 ,  宫崎浩 ,  李河燮 ,  田顺玉 ,  郑妍淑

IPC: C07D209/86 ,  C09K11/06 ,  H10K85/60

Abstract: 提供组合物、包括所述组合物的薄膜、和包括所述薄膜的有机发光器件，其中所述组合物包括预定的第一化合物、预定的第二化合物、和预定的第三化合物。

公开(公告)号：CN110739405A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201910565770.3

申请日：2019-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈明善 ,  印守康 ,  金重赫 ,  Y.小石川 ,  金钟秀 ,  李河燮 ,  田顺玉 ,  郑妍淑

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 公开有机发光器件，其包括第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层，其中所述有机层包括发射层，所述发射层包括第一化合物、第二化合物、和第三化合物，且所述第一化合物和所述第二化合物彼此不同，所述第一化合物和所述第二化合物各自发射光，所述第三化合物不发射光，且所述第一化合物和所述第二化合物满足如本文中描述的条件和不等式。

公开(公告)号：CN110364631A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910231303.7

申请日：2019-03-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 金重赫 ,  姜昊锡 ,  金晟汉 ,  金钟秀 ,  孙永睦 ,  沈明善 ,  印守康

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

Abstract: 公开了有机发光器件，其包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层，其中发射层包括满足一定条件的第一材料、第二材料、和发光材料。

公开(公告)号：CN109810045A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811396674.2

申请日：2018-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈明善 ,  印守康 ,  金钟秀 ,  金重赫 ,  宫崎浩 ,  李河燮 ,  田顺玉 ,  郑妍淑

IPC: C07D209/86 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 提供组合物、包括所述组合物的薄膜、和包括所述薄膜的有机发光器件，其中所述组合物包括预定的第一化合物、预定的第二化合物、和预定的第三化合物。

公开(公告)号：CN108376743A

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201810039080.X

申请日：2018-01-16

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社 ,  梨花女子大学校产学协力团

Inventor： 印守康 ,  刘永玟 ,  卢昌镐 ,  金钟秀 ,  金重赫 ,  李南宪

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/5004 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5016 ,  H01L2251/308 ,  H01L2251/552 ,  H01L2251/554 ,  H01L51/5024 ,  H01L51/56

Abstract: 公开有机发光器件。所述有机发光器件包括第一电极、面对第一电极的第二电极、以及设置在第一电极和第二电极之间的有机层，其中有机层包括发射层，其中发射层包括主体和掺杂剂，和其中有机发光器件满足在说明书中描述的预定的条件。

公开(公告)号：CN112851638B

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202011368197.6

申请日：2020-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵珉植 ,  裵惠珍 ,  田顺玉 ,  金仁九 ,  金钟秀 ,  南成虎 ,  崔玹豪

IPC: C07D401/14 ,  C09K11/06 ,  H10K50/11 ,  H10K50/12 ,  H10K85/60

Abstract: 提供有机金属化合物、包括有机金属化合物的有机发光器件和包括有机发光器件的电子设备，所述有机金属化合物由式1表示。式1可通过参考本文中提供的式1的描述理解。式1#imgabs0#

公开(公告)号：CN118251007A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410340181.6

申请日：2018-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹升铉 ,  李光镐 ,  柳志桓 ,  金钟秀

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/20 ,  H10B43/35 ,  H10B43/20

Abstract: 提供包括堆叠结构和沟槽的半导体装置，其包括：硅基底；多个块，包括主块和虚设块；多个沟槽，包括主沟槽和虚设沟槽；第一导电图案，在主沟槽内；第二导电图案，在虚设沟槽内；第一间隔件绝缘层，接触第一导电图案；以及第二间隔件绝缘层，接触第二导电图案。块包括：层间绝缘层和栅电极的堆叠体；和穿透堆叠体的柱。栅电极包括：最下栅电极、第一栅电极和第二栅电极。层间绝缘层包括：最下层间绝缘层；第一层间绝缘层，在最下栅电极与第一栅电极之间；以及第二层间绝缘层，在第一栅电极与第二栅电极之间。第二导电图案的最下端在比第一导电图案的最下端更高的水平处。第二导电图案的最下端与硅基底间隔开。第一导电图案的最下端接触硅基底。

公开(公告)号：CN109427806B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN201810653341.7

申请日：2018-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹升铉 ,  李光镐 ,  柳志桓 ,  金钟秀

IPC: H10B41/20 ,  H10B41/35 ,  H10B43/20 ,  H10B43/35

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括位于基底上的多个块。沟槽设置在多个块之间。导电图案形成在沟槽内部。沟槽中的最外面的沟槽的下端形成在比与最外面的沟槽相邻的沟槽的下端的水平高的水平处。多个块中的每个包括交替且重复地堆叠的绝缘层和栅电极。柱沿与基底的上表面正交的方向穿过绝缘层和栅电极。