公开(公告)号：CN119317103A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202410577019.6

申请日：2024-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李洋熙 ,  金赫珉 ,  权烔辉 ,  朴钟爀

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器件包括：衬底，所述衬底包括存储单元区域、外围区域和边界区域，所述存储单元区域中限定有有源区域，所述外围区域中限定有逻辑有源区域，所述边界区域包括位于所述存储单元区域与所述外围区域之间的区域隔离沟槽；边界结构，所述边界结构包括顺序地设置在所述区域隔离沟槽中的边界隔离层、区域隔离结构和区域隔离填充层；以及字线，所述字线跨所述有源区域延伸，其中，在所述有源区域当中，位于所述存储单元区域的最外部分处的有源区域和所述区域隔离结构彼此间隔开第一宽度，并且所述字线从位于所述存储单元区域的最外部分处的所述有源区域的边缘朝向所述区域隔离结构延伸了小于所述第一宽度的延伸长度。

公开(公告)号：CN120035136A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202411580868.3

申请日：2024-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李洋熙 ,  金成垠 ,  姜昇芝 ,  金赫珉 ,  朴钟爀 ,  裵珍宇 ,  李东源 ,  韩珠妍

IPC: H10B12/00 ,  H10D1/68

Abstract: 一种半导体存储器件包括：基板；电容器结构，包括在基板上的下电极、在下电极上的电容器电介质层以及在电容器电介质层上的上电极；电荷绝缘层，在电容器结构上；以及布线接触插塞，在电荷绝缘层中延伸并电连接到上电极，其中上电极包括在电容器电介质层上的第一上电极层、在第一上电极层上的第二上电极层以及在第二上电极层上的第三上电极层，其中第一上电极层包括第一半导体材料，第二上电极层包括金属族材料，第三上电极层包括第二半导体材料。