公开(公告)号：CN119136539A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202410752047.7

申请日：2024-06-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李洋熙 ,  朴钟爀 ,  朴慧圣 ,  姜昇芝 ,  金成垠 ,  李东源 ,  韩珠妍

IPC: H10B12/00

Abstract: 公开了一种集成电路装置和一种制造集成电路装置的方法。该集成电路装置包括：衬底，其具有存储器单元区域和在存储器单元区域周围延伸的外围电路区域；单元晶体管，其位于存储器单元区域中；以及外围电路晶体管，其位于外围电路区域中。该装置还包括：电容器结构，其包括单元晶体管上的下电极、下电极的表面上的电介质层、电介质层上的上材料层、以及上材料层上的金属板层；层间绝缘层，其在存储器单元区域中位于金属板层上并且在外围电路区域中位于外围电路晶体管上；以及蚀刻停止图案，其在存储器单元区域和外围电路区域的边界部分处位于层间绝缘层中。蚀刻停止图案与金属板层的侧壁横向间隔开并且竖直地延伸。

公开(公告)号：CN120035136A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202411580868.3

申请日：2024-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李洋熙 ,  金成垠 ,  姜昇芝 ,  金赫珉 ,  朴钟爀 ,  裵珍宇 ,  李东源 ,  韩珠妍

IPC: H10B12/00 ,  H10D1/68

Abstract: 一种半导体存储器件包括：基板；电容器结构，包括在基板上的下电极、在下电极上的电容器电介质层以及在电容器电介质层上的上电极；电荷绝缘层，在电容器结构上；以及布线接触插塞，在电荷绝缘层中延伸并电连接到上电极，其中上电极包括在电容器电介质层上的第一上电极层、在第一上电极层上的第二上电极层以及在第二上电极层上的第三上电极层，其中第一上电极层包括第一半导体材料，第二上电极层包括金属族材料，第三上电极层包括第二半导体材料。

公开(公告)号：CN119866012A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202411448932.2

申请日：2024-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴慧圣 ,  朴钟爀 ,  姜昇芝 ,  金成垠 ,  裵珍宇 ,  李东源 ,  韩珠妍

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/64 ,  H10N97/00

Abstract: 一种半导体器件可以包括：衬底，具有包括第一有源区的存储单元区和包括第二有源区的外围电路区；电容器结构，包括第一电极、第二电极，第一电极连接到存储单元区中的第一有源区，第二电极包括围绕存储单元区上的第一电极的含硅层和在含硅层上的金属板层；在外围电路区上的层间绝缘层；以及盖绝缘层，覆盖存储单元区上的电容器结构且覆盖外围电路区上的层间绝缘层。电容器结构可以包括第一电极和第二电极之间的电容器电介质层。金属板层可以在含硅层的上表面上并且可以不在含硅层的侧表面上。