公开(公告)号：CN1090090A

公开(公告)日：1994-07-27

申请号：CN93120817.3

申请日：1993-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔永帝 ,  郑泰荣 ,  朴钟佑 ,  金荣毕

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L28/86 ,  H01L21/26533 ,  H01L28/87 ,  H01L28/88

Abstract: 一种半导体存储器的制造方法，其中，提供具有双翅状结构的一种电容器。在由导电层组成的两翅片之间，通过施加能够被湿法腐蚀的厚层平面材料形成存储电极。因此，能够解决由常规结构中的不良台阶差所引起的光刻工艺问题。另外，采用腐蚀速率较大的薄的高温氧化膜形成存储电极。于是改善了单元的构形和减少了存储电极的损坏。

公开(公告)号：CN1035141C

公开(公告)日：1997-06-11

申请号：CN93120817.3

申请日：1993-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔永帝 ,  郑泰荣 ,  朴钟佑 ,  金荣毕

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L28/86 ,  H01L21/26533 ,  H01L28/87 ,  H01L28/88

Abstract: 一种半导体存储器的制造方法，其中，提供具有双翅状结构的一种电容器。在由导电层组成的两翅片之间、通过施加能够被湿法腐蚀的厚层平面材料形成存储电极。因此，能够解决由常规结构中的不良台阶差所引起的光刻工艺问题。另外，采用腐蚀速率较大的薄的高温氧化膜形成存储电极。于是改善了单元的构形和减少了存储电极的损坏。