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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116110445A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211370395.5
申请日：2022-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/18 , G11C8/14 , G11C16/10 , G06F12/0882
Abstract: 提供一种存储器装置。所述存储器装置包括存储器单元阵列和页缓冲器电路，其中，页缓冲器电路包括：页缓冲器单元，包括上部页缓冲器单元和下部页缓冲器单元；以及高速缓存单元，布置在上部页缓冲器单元与下部页缓冲器单元之间。高速缓存单元包括上部高速缓存单元和下部高速缓存单元。每个页缓冲器单元包括感测节点和通道晶体管。上部高速缓存单元共享第一组合感测节点，并且下部高速缓存单元共享第二组合感测节点。在数据传输时段中，分别包括在页缓冲器单元中的感测节点通过分别包括在页缓冲器单元中的通道晶体管的串联连接来彼此电连接。
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公开(公告)号：CN115708160A
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN202210986918.2
申请日：2022-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
Abstract: 公开了一种存储器装置及其操作方法和页缓冲器。存储器装置包括：包括存储器单元的存储器单元阵列；数据锁存器，其与读出节点连接并被配置为存储要存储在存储器单元中的第一存储器单元中的数据；与读出节点连接的读出锁存器；临时存储节点；开关，其连接在读出锁存器和临时存储节点之间并且被配置为响应于临时存储节点设置信号而操作；第一预充电电路，其被配置为根据临时存储节点的电平选择性地对与第一存储器单元对应的第一位线进行预充电；和控制逻辑电路，其被配置为控制数据锁存器、读出锁存器和临时存储节点之间的转储操作。控制逻辑电路被配置为在第一预充电电路选择性地对第一位线预充电的同时执行从数据锁存器到读出锁存器的转储操作。
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公开(公告)号：CN117789781A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311217496.3
申请日：2023-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件包括具有多级结构的页缓冲器电路，其中多级结构的一级包括高电压区、第一低电压区和第二低电压区。高电压区包括连接到第一至第六位线中的一条的第一高电压晶体管和连接到第七至第十二位线中的一条的第二高电压晶体管，第一低电压区包括连接到第一高电压晶体管的第一晶体管，第二低电压区包括连接到第二高电压晶体管的第二晶体管。第一低电压区和第二低电压区中的每个具有与六条位线的节距相对应的第一宽度，高电压区具有与十二条位线的节距相对应的第二宽度。
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公开(公告)号：CN116469428A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310076591.X
申请日：2023-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 提供一种非易失性存储器装置及其高速缓存读取方法，所述非易失性存储器装置包括多个页缓冲器单元和高速缓存锁存器，每个页缓冲器单元具有感测锁存器和感测节点线。所述方法包括：使用所述多个页缓冲器单元中的第一页缓冲器单元的第一感测节点线和第一感测锁存器对选择的存储器单元执行第一片上谷搜索(OVS)读取；将从选择的存储器单元感测的第一数据存储在第一感测锁存器中，第一数据基于第一OVS读取的结果；将第一数据转储到所述多个页缓冲器单元之中的除第一页缓冲器单元之外的至少一个页缓冲器单元的感测节点线；以及使用第一感测锁存器对选择的存储器单元执行第二OVS读取。
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公开(公告)号：CN115708159A
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN202210961110.9
申请日：2022-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器装置和页缓冲器。该存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；页缓冲器电路，其通过多条位线连接至存储器单元阵列，并且包括连接至多条位线中的每一条的页缓冲器，页缓冲器包括用于基于第一感测节点的电压电平而存储数据的至少一个第一锁存器；以及控制电路，其被配置为调整提供至页缓冲器电路的电压信号的电平。页缓冲器包括布置在至少一个第一锁存器与第一感测节点之间的跳闸控制晶体管，并且其中，控制电路还被配置为基于对存储器单元阵列执行的读取操作控制将被提供至跳闸控制晶体管的栅极的跳闸控制电压。跳闸控制电压的电平根据存储器装置的温度而变化。
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