公开(公告)号：CN118645503A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202311603983.3

申请日：2023-11-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋宗圭 ,  许镇 ,  金珉昊 ,  宋周永 ,  李恩淑 ,  全灿熙

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/74

Abstract: 公开了一种静电放电保护器件，所述静电放电保护器件包括：衬底、具有第一导电类型的第一阱和包围所述第一阱的第二阱、形成在所述第一阱上的第一扩散区至第五扩散区以及形成在所述第二阱上的第六扩散区和第七扩散区。所述第二扩散区包围所述第一扩散区，所述第四扩散区包围所述第三扩散区，并且所述第五扩散区包围所述第二扩散区和所述第四扩散区中的每一者。所述第六扩散区包围所述第五扩散区，并且所述第七扩散区包围所述第六扩散区。所述第六扩散区和所述第七扩散区连接到阳极电极，并且所述第一扩散区至所述第五扩散区连接到阴极电极。

公开(公告)号：CN117790496A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202310848337.7

申请日：2023-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋宗圭 ,  金珉昊 ,  许镇 ,  都擎逸 ,  宋周永 ,  全灿熙

IPC: H01L27/02

Abstract: 一种静电放电保护器件，包括：衬底，包括具有第一导电类型的第一阱和具有第二导电类型的第二阱；以及第一扩散区至第八扩散区，形成在第一阱和第二阱上。扩散区中形成在第一阱中的至少一部分连接到第一电极，扩散区中形成在第二阱中的至少一部分连接到第二电极。扩散区中形成在第一阱中的一个扩散区与N阱之间的结点形成触发二极管。扩散区中形成在第二阱中的一个扩散区与P阱之间的结点形成触发二极管。触发二极管彼此电连接。