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公开(公告)号:CN115968195A
公开(公告)日:2023-04-14
申请号:CN202211224611.5
申请日:2022-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00 , H01L21/768
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括:导电图案;绝缘图案,位于导电图案之间;绝缘蚀刻停止层,位于导电图案和绝缘图案上;电容器,包括第一电容器电极、第二电容器电极和电介质,第一电容器电极与导电图案接触,电介质位于第一电容器电极与第二电容器电极之间;绝缘结构,覆盖电容器和绝缘蚀刻停止层;以及外围接触插塞,穿过绝缘结构和绝缘蚀刻停止层,并且包括堆叠在彼此的顶部上的第一插塞区域至第五插塞区域,第四插塞区域的侧表面的至少一部分具有与第三插塞区域的倾斜角和第五插塞区域的倾斜角不同的倾斜角,并且第五插塞区域的竖直厚度是第一插塞区域至第四插塞区域的竖直厚度之和的至少两倍。
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公开(公告)号:CN117995711A
公开(公告)日:2024-05-07
申请号:CN202310721157.2
申请日:2023-06-16
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
Abstract: 一种衬底处理装置,包括:腔室,提供被配置为处理衬底的空间;以及加热板,布置在腔室内,该加热板包括衬底板和液态金属图案,衬底板被配置为支撑衬底并具有从衬底板的中心沿径向方向顺序地布置的第一区域、第二区域和第三区域,液态金属图案在衬底板上被图案化并在第一区域、第二区域和第三区域上延伸,该衬底板是可拉伸的。
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