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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101388392A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810175627.5
申请日：2008-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L27/08 , H01L23/60 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/0814 , H01L27/0255
Abstract: 本发明提供一种具有片上型静电放电(ESD)保护电路的半导体器件及其制造方法。该片上型ESD保护电路可以包括在半导体衬底中具有接触第二导电型区域的第一导电型区域的第一结型二极管以及具有布置在半导体衬底的第一导电型区域上且接触该第一导电型区域的金属性材料层的第一肖特基二极管。
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公开(公告)号：CN101388392B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200810175627.5
申请日：2008-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L27/08 , H01L23/60 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/0814 , H01L27/0255
Abstract: 本发明提供一种具有片上型静电放电(ESD)保护电路的半导体器件及其制造方法。该片上型ESD保护电路可以包括在半导体衬底中具有接触第二导电型区域的第一导电型区域的第一结型二极管以及具有布置在半导体衬底的第一导电型区域上且接触该第一导电型区域的金属性材料层的第一肖特基二极管。
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公开(公告)号：CN1218397C
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN00128891.1
申请日：2000-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/78615
Abstract: 提供一种绝缘体上硅薄膜(SOI)集成电路以及一种制造SOI集成电路的方法。至少一个隔离的晶体管有源区和一体线形成在SOI衬底上。晶体管有源区和体线由与SOI衬底的埋式绝缘层接触的隔离层包围。晶体管有源区侧壁的一部分延伸至体线。于是，晶体管有源区经体延伸部分与体线电学上连接。体延伸部分覆有体绝缘层。绝缘的栅图案形成在晶体管有源区的上方并且栅图案的一端与体绝缘层重叠。
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公开(公告)号：CN1652324A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510008217.8
申请日：2005-02-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8239 , H01L27/105
CPC classification number: H01L27/11526 , H01L27/105 , H01L27/11546
Abstract: 一种制造具有非易失性存储单元的半导体器件的方法，其包括形成作为存储单元的最上面/最外面部分的绝缘层，以提高存储单元的充电保持能力。绝缘层是在非易失性存储单元的栅极结构和栅极间电介质，以及逻辑晶体管的栅极形成之后形成的。因此，绝缘层增强了栅极间电介质的功能。接下来，在衬底上，包括在逻辑晶体管的栅极的上方形成导电层。之后，在逻辑晶体管的栅极上以及与栅极的相对侧相邻的衬底上形成硅化物层。因此，所述绝缘层还用于防止在该非易失性存储单元上的硅化物层的形成。
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公开(公告)号：CN1300102A
公开(公告)日：2001-06-20
申请号：CN00128891.1
申请日：2000-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/78615
Abstract: 提供一种绝缘体上硅薄膜(SOI)集成电路以及一种制造SOI集成电路的方法。至少一个隔离的晶体管有源区和一体线形成在SOI衬底上。晶体管有源区和体线由与SOI衬底的埋式绝缘层接触的隔离层包围。晶体管有源区侧壁的一部分延伸至体线。于是,晶体管有源区经体延伸部分与体线电学上连接。体延伸部分覆有体绝缘层。绝缘的栅图案形成在晶体管有源区的上方并且栅图案的一端与体绝缘层重叠。
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