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公开(公告)号：CN1218397C
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN00128891.1
申请日：2000-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/78615
Abstract: 提供一种绝缘体上硅薄膜(SOI)集成电路以及一种制造SOI集成电路的方法。至少一个隔离的晶体管有源区和一体线形成在SOI衬底上。晶体管有源区和体线由与SOI衬底的埋式绝缘层接触的隔离层包围。晶体管有源区侧壁的一部分延伸至体线。于是，晶体管有源区经体延伸部分与体线电学上连接。体延伸部分覆有体绝缘层。绝缘的栅图案形成在晶体管有源区的上方并且栅图案的一端与体绝缘层重叠。
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公开(公告)号：CN102467454B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201110186412.5
申请日：2011-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06T1/60
Abstract: 提供一种使用X-Y堆栈存储器的计算设备和方法。所述计算设备包括：存储器单元，被配置为具有地址空间，所述地址空间被定义为具有至少两个轴的多维空间，所述至少两个轴包括第一轴和第二轴；存储器存取单元，被配置为包括第一指针寄存器和第二指针寄存器，第一指针寄存器存储指向与第一轴对应的行的第一指针，第二指针寄存器存储指向与第二轴对应的列的第二指针。
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公开(公告)号：CN1300102A
公开(公告)日：2001-06-20
申请号：CN00128891.1
申请日：2000-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/78615
Abstract: 提供一种绝缘体上硅薄膜(SOI)集成电路以及一种制造SOI集成电路的方法。至少一个隔离的晶体管有源区和一体线形成在SOI衬底上。晶体管有源区和体线由与SOI衬底的埋式绝缘层接触的隔离层包围。晶体管有源区侧壁的一部分延伸至体线。于是,晶体管有源区经体延伸部分与体线电学上连接。体延伸部分覆有体绝缘层。绝缘的栅图案形成在晶体管有源区的上方并且栅图案的一端与体绝缘层重叠。
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公开(公告)号：CN102467454A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110186412.5
申请日：2011-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06T1/60
Abstract: 提供一种使用X-Y堆栈存储器的计算设备和方法。所述计算设备包括：存储器单元，被配置为具有地址空间，所述地址空间被定义为具有至少两个轴的多维空间，所述至少两个轴包括第一轴和第二轴；存储器存取单元，被配置为包括第一指针寄存器和第二指针寄存器，第一指针寄存器存储指向与第一轴对应的行的第一指针，第二指针寄存器存储指向与第二轴对应的列的第二指针。
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