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公开(公告)号：CN114759029A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210007879.7
申请日：2022-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴焕悦 , 金桓佑 , 李钟圭 , 崔哲焕
IPC: H01L27/108 , H01L49/02
Abstract: 本发明构思的半导体结构包括：芯片区域，其包括基板上的多个半导体芯片；以及外围区域，其位于芯片区域的外围处，外围区域包括模制结构。模制结构可包括在基板上的基础模制层和在基础模制层上的复合模制层，复合模制层包括至少一个弯曲牺牲层和至少一个弯曲防止层。
