公开(公告)号：CN105514165B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201510658801.1

申请日：2015-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑恩爱 ,  崔正达 ,  中西俊郎 ,  金有彬 ,  南甲镇 ,  李同规 ,  焦广泛

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括基板，该基板具有逻辑器件区域和邻近逻辑器件区域的输入/输出(I/O)器件区域，该逻辑器件区域上包括逻辑器件，该I/O器件区域上包括I/O器件。在逻辑器件区域上的第一鳍型场效应晶体管(FinFET)包括从基板突出的第一半导体鳍以及三栅结构，该三栅结构具有第一栅介电层和在第一栅介电层上的第一栅电极。在I/O器件区域上的第二FinFET包括从基板突出的第二半导体鳍以及双栅结构，该双栅结构具有第二栅介电层和在第二栅介电层上的第二栅电极。第一和第二栅介电层具有不同的厚度。相关的器件和制造方法也被讨论。

公开(公告)号：CN105514165A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510658801.1

申请日：2015-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑恩爱 ,  崔正达 ,  中西俊郎 ,  金有彬 ,  南甲镇 ,  李同规 ,  焦广泛

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括基板，该基板具有逻辑器件区域和邻近逻辑器件区域的输入/输出(I/O)器件区域，该逻辑器件区域上包括逻辑器件，该I/O器件区域上包括I/O器件。在逻辑器件区域上的第一鳍型场效应晶体管(FinFET)包括从基板突出的第一半导体鳍以及三栅结构，该三栅结构具有第一栅介电层和在第一栅介电层上的第一栅电极。在I/O器件区域上的第二FinFET包括从基板突出的第二半导体鳍以及双栅结构，该双栅结构具有第二栅介电层和在第二栅介电层上的第二栅电极。第一和第二栅介电层具有不同的厚度。相关的器件和制造方法也被讨论。