半导体器件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111326501B

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN201910857386.0

    申请日:2019-09-10

    Abstract: 公开了一种半导体封装,包括:衬底;衬底上的半导体芯片;衬底上的模塑层,覆盖半导体芯片;以及模塑层上的屏蔽层。屏蔽层包括聚合物,在聚合物中分布有多个导电结构和多个纳米结构,其中,导电结构中的至少一些彼此连接。

    半导体器件
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111326501A

    公开(公告)日:2020-06-23

    申请号:CN201910857386.0

    申请日:2019-09-10

    Abstract: 公开了一种半导体封装,包括:衬底;衬底上的半导体芯片;衬底上的模塑层,覆盖半导体芯片;以及模塑层上的屏蔽层。屏蔽层包括聚合物,在聚合物中分布有多个导电结构和多个纳米结构,其中,导电结构中的至少一些彼此连接。

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