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公开(公告)号：CN111090387B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201910952640.5
申请日：2019-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供了存储模块、操作其的方法以及操作控制其的主机的方法。所述存储模块包括动态随机存取存储器(DRAM)装置、非易失性存储器装置和高速缓冲存储器。操作所述存储模块的方法包括：响应于外部设备进入页面故障模式，将存储在所述非易失性存储器装置中的目标数据复制到所述高速缓冲存储器；从所述外部设备接收第一刷新命令；以及响应于所述第一刷新命令，在第一刷新参考时间内执行与所述DRAM装置相关联的第一刷新操作，并且将复制到所述高速缓冲存储器的所述目标数据移动到所述DRAM装置。
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公开(公告)号：CN110308869B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN201910231779.0
申请日：2019-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 公开一种存储器系统、存储器模块以及操作存储器模块的方法。所述存储器系统包括：非易失性存储器模块；第一控制器，被配置为控制非易失性存储器模块。非易失性存储器模块包括：易失性存储器装置；非易失性存储器装置；第二控制器，被配置为控制易失性存储器装置和非易失性存储器装置。第一控制器可被配置为将读取请求发送到第二控制器。当在根据所述读取请求的读取操作期间从非易失性存储器装置没有接收到正常数据时，第一控制器可对第二控制器执行所述读取请求的一次或多次重新发送，而不限制第一控制器执行所述读取请求的一次或多次重新发送的次数。
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公开(公告)号：CN111090387A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201910952640.5
申请日：2019-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供了存储模块、操作其的方法以及操作控制其的主机的方法。所述存储模块包括动态随机存取存储器(DRAM)装置、非易失性存储器装置和高速缓冲存储器。操作所述存储模块的方法包括：响应于外部设备进入页面故障模式，将存储在所述非易失性存储器装置中的目标数据复制到所述高速缓冲存储器；从所述外部设备接收第一刷新命令；以及响应于所述第一刷新命令，在第一刷新参考时间内执行与所述DRAM装置相关联的第一刷新操作，并且将复制到所述高速缓冲存储器的所述目标数据移动到所述DRAM装置。
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公开(公告)号：CN110308869A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910231779.0
申请日：2019-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 公开一种存储器系统、存储器模块以及操作存储器模块的方法。所述存储器系统包括：非易失性存储器模块；第一控制器，被配置为控制非易失性存储器模块。非易失性存储器模块包括：易失性存储器装置；非易失性存储器装置；第二控制器，被配置为控制易失性存储器装置和非易失性存储器装置。第一控制器可被配置为将读取请求发送到第二控制器。当在根据所述读取请求的读取操作期间从非易失性存储器装置没有接收到正常数据时，第一控制器可对第二控制器执行所述读取请求的一次或多次重新发送，而不限制第一控制器执行所述读取请求的一次或多次重新发送的次数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118262775A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311508669.7
申请日：2023-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器系统，包括：存储器模块，包括多个存储器芯片；镜像存储器模块，包括与多个存储器芯片相对应的多个镜像存储器芯片，多个镜像存储器芯片中的第一镜像存储器芯片存储与多个存储器芯片中的第一存储器芯片相同的数据；以及存储器控制器，被配置为，在存储器系统被启动之后能够执行根据用户请求的操作的系统运行状态中，向存储器模块提供用于指示执行正常操作的命令并且向镜像存储器模块提供用于指示执行存储器内置自测试(MBIST)的命令。
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公开(公告)号：CN118230799A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311735608.4
申请日：2023-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储器控制器和包括存储器控制器的存储器系统。所述存储器系统包括：存储器装置；以及存储器控制器，被配置为：基于刷洗周期控制巡回刷洗操作，在刷洗操作中，数据从存储器装置读取并且被重写到存储器装置；并且基于存储器装置的错误计数值与多个风险阈值的比较来自适应地调节刷洗周期。
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公开(公告)号：CN117349057A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310436130.9
申请日：2023-04-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种电子设备，包括：存储器模块，存储器模块包括至少一个动态随机访问存储器，以及处理器，处理器被配置为访问存储器模块，响应于当从存储器模块读取数据时检测到纠正的错误，确定与纠正的错误的地址相关联的纠正的错误计数，读取与纠正的错误相关联的错误日志，基于错误日志来确定纠正的错误的风险级别，和响应于纠正的错误的风险级别为高，对纠正的错误的地址调度封装后修复(PPR)。
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公开(公告)号：CN111258842A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201910846662.3
申请日：2019-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/30
Abstract: 公开存储器模块和存储器系统。一种存储器系统包括：存储器装置，其中具有多个易失性存储器模块；以及存储器控制器，电结合到所述多个易失性存储器模块。存储器控制器被配置为：响应于由所述多个易失性存储器模块中的第一易失性存储器模块生成报警信号，校正所述多个易失性存储器模块中的第一易失性存储器模块中的错误，并且在生成报警信号时并发地进行刷新所述多个易失性存储器模块中的第二易失性存储器模块的至少一部分的操作。
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