公开(公告)号：CN113745196A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110193507.3

申请日：2021-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庆希 ,  卢佑哲 ,  金益秀 ,  金埈宽 ,  金陈燮 ,  慎镛珍

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/108 ,  H01L27/24

Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括：衬底，包括单元阵列区域和外围电路区域；单元晶体管，在衬底的单元阵列区域上；外围晶体管，在衬底的外围电路区域上；第一互连层，连接到单元晶体管；第二互连层，连接到外围晶体管；层间电介质层，覆盖第一互连层；以及阻挡层，与第一互连层间隔开，该阻挡层覆盖第二互连层的顶表面和侧壁。

公开(公告)号：CN115732465A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202210862274.6

申请日：2022-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庆希 ,  金陈燮 ,  金汶濬 ,  金埈宽

IPC: H01L23/50

Abstract: 提供了具有设置有保护层的布线的半导体装置。所述半导体装置包括：下结构，包括器件和下布线结构；绝缘层，设置在下结构上；过孔，穿透绝缘层；布线图案，在绝缘层和过孔上；以及氧化硅层，覆盖布线图案，并且包括氢，其中，布线图案包括第一导电层、第二导电层、上表面保护层和侧表面保护层，其中，第二导电层在第一导电层上，其中，上表面保护层覆盖第二导电层的上表面，并且侧表面保护层覆盖第一导电层的侧表面和第二导电层的侧表面，并且其中，上表面保护层和侧表面保护层中的每个包括具有比第二导电层的金属材料的活化能高的活化能的金属材料。

公开(公告)号：CN113745225A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110465554.9

申请日：2021-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金阵燮 ,  金埈宽 ,  卢佑哲 ,  金庆希 ,  金益秀 ,  慎镛珍

IPC: H01L27/108 ,  H01L49/02

Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置包括：下电极，位于基底上；电容器介电膜，在下电极上沿着下电极的与基底垂直的侧表面延伸；上电极，位于电容器介电膜上；界面层，包括位于上电极上的氢阻挡膜和氢旁路膜，氢旁路膜包括导电材料；以及接触插塞，穿透界面层，并且电连接到上电极。

公开(公告)号：CN115988873A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211266287.3

申请日：2022-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李进成 ,  金庆希 ,  禹东秀 ,  蔡教锡

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体装置包括：单元有源图案；单元栅极结构，其连接至单元有源图案；外围有源图案；外围栅极结构，其连接至外围有源图案；导电图案，其连接至外围有源图案、单元栅极结构或外围栅极结构；电容器结构，其电连接至单元有源图案；层间绝缘层，其包围电容器结构；以及外围接触件，其连接至导电图案，同时延伸穿过层间绝缘层，其中，层间绝缘层包括接触电容器结构的第一材料层和第一材料层上的第二材料层，外围接触件包括接触第一材料层的第一部分和接触第二材料层的第二部分，并且第一部分的最大宽度大于第二部分的最小宽度。

公开(公告)号：CN115241191A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202111505121.8

申请日：2021-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金陈燮 ,  金庆希 ,  金汶濬 ,  金埈宽 ,  卢佑哲

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括单元阵列区域和外围电路区域；电容器，在基底的单元阵列区域上；外围晶体管，在基底的外围电路区域上；第一上层间绝缘层，在电容器和外围晶体管上；第一上接触件，电连接到外围晶体管中的至少一个，第一上接触件穿透第一上层间绝缘层；第一上互连线，设置在第一上层间绝缘层上并且电连接到第一上接触件；第二上层间绝缘层，覆盖第一上互连线；以及第一阻挡层，在第一上层间绝缘层与第二上层间绝缘层之间。在第一上互连线与第一上层间绝缘层之间不存在第一阻挡层。