公开(公告)号：CN110416061B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN201910292773.4

申请日：2019-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李善英 ,  康珉材 ,  金𡜧娟 ,  金台原 ,  卓容奭 ,  金善政

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  C23C16/04 ,  C23C16/30 ,  C23C16/455

Abstract: 提供了一种形成低k层的方法和形成半导体装置的方法，所述形成低k层的方法包括通过将硅源、碳源、氧源和氮源提供到基底上来形成层。形成层的步骤包括多个主循环，每个主循环包括提供硅源、提供碳源、提供氧源以及提供氮源，提供硅源、提供碳源、提供氧源和提供氮源中的每个执行至少一次。每个主循环包括交替执行提供碳源和提供氧源的子循环。

公开(公告)号：CN108074984B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201711128763.4

申请日：2017-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  李炫姃 ,  金坰喜 ,  金善政 ,  金真范 ,  慎一揆 ,  李承勋 ,  李峭蒑 ,  申东石

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体器件，该半导体器件能够通过在源极/漏极区域中形成含碳的半导体图案来改善短沟道效应。该半导体器件包括：第一栅电极和第二栅电极，在鳍型图案上彼此间隔开；凹陷，形成在第一栅电极与第二栅电极之间的鳍型图案中；以及半导体图案，包括沿凹陷的轮廓形成的下半导体膜和在下半导体膜上的上半导体膜，其中下半导体膜包括顺序地形成在鳍型图案上的下外延层和上外延层，并且上外延层的碳浓度大于下外延层的碳浓度。

公开(公告)号：CN105826387B

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN201610037286.X

申请日：2016-01-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁炆承 ,  崔恩惠 ,  金善政 ,  李承勋 ,  李炫姃

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

Abstract: 提供了半导体衬底和半导体器件。所述半导体衬底包括底部衬底、底部衬底上的第一硅锗层以及第一硅锗层上的第二硅锗层。第二硅锗层的锗分率在离开底部衬底的方向上减小，并且第二硅锗层的最下面部分的锗分率大于第一硅锗层的最上面部分的锗分率。

公开(公告)号：CN110634942B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN201910460498.2

申请日：2019-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔庆寅 ,  宋炫彻 ,  金善政 ,  金泰坤 ,  郑圣勋

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括第一有源图案和第二有源图案；器件隔离层，所述器件隔离层填充所述第一有源图案与所述第二有源图案之间的第一沟槽，所述器件隔离层包括掺杂有氦的氧化硅层，所述器件隔离层的氦浓度高于所述第一有源图案和所述第二有源图案的氦浓度；以及栅电极，所述栅电极与所述第一有源图案和所述第二有源图案交叉。

公开(公告)号：CN108511525B

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN201710748871.5

申请日：2017-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东宇 ,  李炫姃 ,  金善政 ,  李承勋 ,  朴金锡 ,  赵南奎

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括鳍型有源区、纳米片、栅极、源极/漏极区和绝缘间隔物。鳍型有源区从衬底突出并在第一方向上延伸。纳米片与鳍型有源区的上表面间隔开并包括沟道区。栅极在鳍型有源区之上。源极/漏极区连接到纳米片。绝缘间隔物在鳍型有源区上以及在纳米片之间。气隙基于绝缘间隔物的位置在绝缘间隔物与源极/漏极区之间。

公开(公告)号：CN108231891B

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201711108354.8

申请日：2017-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真范 ,  金傔 ,  金锡勋 ,  朴台镇 ,  柳廷昊 ,  李峭蒑 ,  李炫姃 ,  金善政 ,  申东石

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/45 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其包括：衬底，所述衬底具有有源区；栅极结构，所述栅极结构设置在所述有源区上；源/漏区，所述源/漏区分别形成在所述有源区的在所述栅极结构的两侧的部分内；金属硅化物层，所述金属硅化物层设置在每个所述源/漏区的表面上；以及接触栓，所述接触栓设置在所述源/漏区上并且通过所述金属硅化物层分别电连接至所述源/漏区。所述金属硅化物层被形成为具有单晶结构。

公开(公告)号：CN108074984A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711128763.4

申请日：2017-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  李炫姃 ,  金坰喜 ,  金善政 ,  金真范 ,  慎一揆 ,  李承勋 ,  李峭蒑 ,  申东石

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体器件，该半导体器件能够通过在源极/漏极区域中形成含碳的半导体图案来改善短沟道效应。该半导体器件包括：第一栅电极和第二栅电极，在鳍型图案上彼此间隔开；凹陷，形成在第一栅电极与第二栅电极之间的鳍型图案中；以及半导体图案，包括沿凹陷的轮廓形成的下半导体膜和在下半导体膜上的上半导体膜，其中下半导体膜包括顺序地形成在鳍型图案上的下外延层和上外延层，并且上外延层的碳浓度大于下外延层的碳浓度。

公开(公告)号：CN108630580B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN201810214417.6

申请日：2018-03-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴金锡 ,  金善政 ,  金利桓

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  C23C16/44 ,  C23C16/54

Abstract: 公开一种衬底处理装置以及一种制造半导体器件的方法，所述衬底处理装置包括：晶片夹盘，在晶片夹盘上放置有衬底；注入器单元，位于晶片夹盘的一侧并注入工艺气体，所述工艺气体包括第一气体及第二气体；以及气体供应单元，向注入器单元供应工艺气体。气体供应单元包括：第一气体供应源及第二气体供应源，分别容纳第一气体及第二气体；第一气体供应管线及第二气体供应管线，分别将第一气体供应源及第二气体供应源连接到注入器单元；以及第一加热单元及第二加热单元，分别设置在第一气体供应管线及第二气体供应管线上。设置在第一气体供应管线上的第一加热单元的每单位长度上的密度比设置在第二气体供应管线上的第二加热单元的每单位长度上的密度大。

公开(公告)号：CN110634942A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910460498.2

申请日：2019-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔庆寅 ,  宋炫彻 ,  金善政 ,  金泰坤 ,  郑圣勋

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括第一有源图案和第二有源图案；器件隔离层，所述器件隔离层填充所述第一有源图案与所述第二有源图案之间的第一沟槽，所述器件隔离层包括掺杂有氦的氧化硅层，所述器件隔离层的氦浓度高于所述第一有源图案和所述第二有源图案的氦浓度；以及栅电极，所述栅电极与所述第一有源图案和所述第二有源图案交叉。

公开(公告)号：CN109841572A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811416261.6

申请日：2018-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔庆寅 ,  韩尚勋 ,  金善政 ,  金泰坤 ,  宋炫彻

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成伪栅极结构；在所述伪栅极结构的侧壁上形成间隔件；形成初步第一层间绝缘图案以填充相邻间隔件之间的间隙；通过第一蚀刻工艺蚀刻所述初步第一层间绝缘图案的上部，以形成初步第二层间绝缘图案；通过离子注入工艺在所述伪栅极结构、所述间隔件和所述初步第二层间绝缘图案上注入离子；通过第二蚀刻工艺蚀刻所述初步第二层间绝缘图案的上部，以形成具有平坦上表面的层间绝缘图案；以及在所述层间绝缘图案上形成覆盖图案以填充所述间隔件之间的间隙。