包括贯穿通路和布线层的半导体器件

    公开(公告)号:CN119786482A

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202410858606.2

    申请日:2024-06-28

    Abstract: 本公开提供了包括贯穿通路和布线层的半导体器件。所述半导体器件包括:半导体衬底;第一绝缘层,所述第一绝缘层设置在所述半导体衬底的第一表面上;贯穿通路,所述贯穿通路穿过所述半导体衬底和所述第一绝缘层两者;保护阻挡壁图案,所述保护阻挡壁图案设置在所述第一绝缘层内和所述贯穿通路的侧壁上;第一布线结构,所述第一布线结构设置在所述第一绝缘层内并且包括第一通路部分和第一布线部分;以及第二绝缘层,所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层的上表面上并且至少部分地覆盖所述第一布线结构的上表面和所述保护阻挡壁图案的上表面。

    具有贯穿件结构的半导体装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118116890A

    公开(公告)日:2024-05-31

    申请号:CN202311569505.5

    申请日:2023-11-23

    Abstract: 一种半导体装置,包括:半导体衬底;集成电路层,其设置在半导体衬底上;按次序地设置在半导体衬底和集成电路层上的第一金属布线层至第n金属布线层,其中,n是正整数;将第一金属布线层至第n金属布线层彼此连接的多个布线过孔件;以及贯穿件,其在竖直方向上从作为第一金属布线层至第n金属布线层中的任一个的过孔连接焊盘朝向半导体衬底延伸并穿过半导体衬底,其中,过孔连接焊盘是形成在贯穿件的上表面上的盖型过孔连接焊盘。

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