公开(公告)号：CN1790634A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510091182.9

申请日：2005-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑硕祐 ,  崔吉铉 ,  尹钟皓 ,  卢官钟 ,  郑恩志 ,  金贤洙

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 形成金属硅化物层的方法包括基于对流(或者传导)的退火步骤，以将金属层转换为金属硅化物层。这些方法可以包括：在衬底上形成硅层；以及接触该硅层形成金属层(例如，镍层)。然后，执行至少使部分金属层转换为金属硅化物层的步骤。该转换步骤包括在对流或者传导加热设备中使该金属层暴露在传热气体(例如，氩气、氮气)中。

公开(公告)号：CN100481348C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200510091182.9

申请日：2005-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑硕祐 ,  崔吉铉 ,  尹钟皓 ,  卢官钟 ,  郑恩志 ,  金贤洙

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 形成金属硅化物层的方法包括基于对流(或者传导)的退火步骤，以将金属层转换为金属硅化物层。这些方法可以包括：在衬底上形成硅层；以及接触该硅层形成金属层(例如，镍层)。然后，执行至少使部分金属层转换为金属硅化物层的步骤。该转换步骤包括在对流或者传导加热设备中使该金属层暴露在传热气体(例如，氩气、氮气)中。