公开(公告)号：CN102064194A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010515597.5

申请日：2010-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣睦 ,  郑用相 ,  李泰喆

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1037 ,  H01L21/28114 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/7834

Abstract: 本发明提供了凹陷沟道晶体管装置、包括其的显示设备及其制造方法，即凹陷沟道晶体管(RCT)装置、制造该RCT装置的方法以及包括该RCT装置的显示设备。RCT装置包括：基底，第一沟槽在第一基底中且具有第一宽度；第一栅极绝缘层，在第一沟槽的内壁上；第一凹陷栅极，在第一栅极绝缘层上，且在第一凹陷栅极的上表面的中心部分中具有凹槽；源极和漏极，在基底中并在第一凹陷栅极的两侧上。

公开(公告)号：CN115831967A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211114567.2

申请日：2022-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣睦 ,  姜炅龙 ,  姜俊求 ,  郑用相

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开提供了半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：基板，在其上限定第一区域和第二区域；在第一区域中的第一有源区；从第一有源区突出的有源图案；在第二区域中的第二有源区；在有源图案上的第一栅电极；在第二有源区上的第二栅电极；在有源图案和第一栅电极之间的第一栅极绝缘层，包括第一‑第一绝缘层；在第二有源区和第二栅电极之间的第二栅极绝缘层，包括第二‑第一绝缘层和在第二‑第一绝缘层下面的第二‑第二绝缘层，其中在垂直方向上与有源图案重叠的第一栅电极在垂直方向上的厚度等于在垂直方向上与第二有源区重叠的第二栅电极在垂直方向上的厚度，第一栅电极的上表面形成在与第二栅电极的上表面相同的水平处。