公开(公告)号：CN115706126A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210960703.3

申请日：2022-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林杠默 ,  金昇埴 ,  全在勋 ,  郑堤衍

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器，包括：衬底，包括第一区和第二区；多个单元像素，设置在衬底中，其中所述多个单元像素中的每一个包括光电转换层；像素限定图案，将单元像素彼此分开；表面绝缘膜，设置在衬底上；线结构，设置在衬底上，并且包括第一线间绝缘膜和设置在第一线间绝缘膜中的布线图案；微透镜，设置在第一区中；以及遮光膜，设置在第二区中。遮光膜包括：沿表面绝缘膜的顶表面延伸的水平遮光膜；以及延伸穿过表面绝缘膜和衬底的垂直遮光膜。垂直遮光膜电连接到布线图案。遮光膜电连接到像素限定图案。

公开(公告)号：CN115548039A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202210473126.5

申请日：2022-04-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全在勋 ,  林杠默 ,  郑堤衍 ,  郑秪惠

IPC: H01L27/146

Abstract: 图像传感器可以包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，并且包括多个像素；第一像素隔离结构，所述第一像素隔离结构包括从所述半导体衬底的所述第一表面凹入到所述半导体衬底中的第一沟槽和位于所述第一沟槽中的导电层；以及第二像素隔离结构，所述第二像素隔离结构包括第二沟槽和第三沟槽以及位于所述第二沟槽和所述第三沟槽中的电介质层，所述第二沟槽和所述第三沟槽各自从所述半导体衬底的所述第二表面凹入到所述半导体衬底中。所述第一像素隔离结构和所述第二像素隔离结构可以彼此接触并且在所述半导体衬底中将所述像素彼此分开。