公开(公告)号：CN102376721A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110229094.6

申请日：2011-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳慧英 ,  李禹根 ,  崔永柱 ,  郑卿在 ,  李进元 ,  崔升夏 ,  卞喜准 ,  尹弼相

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，该薄膜晶体管阵列基板能够减小由于氧化物半导体图案的退化引起的器件的退化。该薄膜晶体管阵列基板可以包括：绝缘基板，栅极电极形成在其上；栅极绝缘膜，形成在绝缘基板上；氧化物半导体图案，设置在栅极绝缘膜上；抗蚀刻图案，形成在氧化物半导体图案上；以及源极电极和漏极电极，形成在抗蚀刻图案上。氧化物半导体图案可以包括位于源极电极与漏极电极之间的边缘部分，该边缘部分可以包括至少一个导电区域和至少一个不导电区域。

公开(公告)号：CN102270644A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110150778.7

申请日：2011-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔升夏 ,  郑卿在 ,  李禹根

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/77 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76804 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  H01L21/76816 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种具有高的电荷迁移率且对于大面积显示器能获得均匀电特性的薄膜晶体管显示面板及其制造方法。TFT显示面板包括：栅电极，形成在绝缘基板上；第一栅绝缘层，由SiNx形成在该栅电极上；第二栅绝缘层，由SiOx形成在该第一栅绝缘层上；氧化物半导体层，形成得交叠该栅电极且具有沟道部分；以及钝化层，由SiOx形成在该氧化物半导体层和该栅电极上，该钝化层包括暴露漏电极的接触孔。该接触孔具有这样的形状，其中横截面积从在该漏电极处的底表面向上增大。