-
公开(公告)号：CN101101964B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200710091903.5
申请日：2007-03-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李殷洪 , 赵重来 , 斯蒂法诺维奇·金瑞克
CPC classification number: H01L45/12 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , G11C2213/76 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供了一种包括可变电阻材料的非易失存储器件。所述非易失存储器件包括：下电极；缓冲层，形成在所述下电极上，并且在缓冲层与下电极之间的界面上形成了肖特基势垒；形成在缓冲层上的具有可变电阻特性的可变电阻材料层；和形成在可变电阻材料层上的上电极。
-
公开(公告)号：CN101097988B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200610160399.5
申请日：2006-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 赵重来 , 李殷洪 , 斯蒂法诺维奇·金瑞克 , 埃尔·M·鲍里姆
CPC classification number: H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146 , Y10S438/90
Abstract: 本发明提供一种具有n+界面层的可变电阻随机存取存储器。该可变电阻随机存取存储器包括下电极、形成在所述下电极上的n+界面层、形成在所述n+界面层上的缓冲层、形成在所述缓冲层上并具有可变电阻特性的氧化物层、及形成在所述氧化物层上的上电极。
-
公开(公告)号：CN101097988A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200610160399.5
申请日：2006-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 赵重来 , 李殷洪 , 斯蒂法诺维奇·金瑞克 , 埃尔·M·鲍里姆
CPC classification number: H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146 , Y10S438/90
Abstract: 本发明提供一种具有n+界面层的可变电阻随机存取存储器。该可变电阻随机存取存储器包括下电极、形成在所述下电极上的n+界面层、形成在所述n+界面层上的缓冲层、形成在所述缓冲层上并具有可变电阻特性的氧化物层、及形成在所述氧化物层上的上电极。
-
公开(公告)号：CN1694256A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510076258.0
申请日：2005-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/108 , H01L21/82 , H01L21/8242 , H01L21/02
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L28/65
Abstract: 提供了一种存储设备的电容器及其制造方法，用于实现高集成度的半导体存储设备并保持优良的疲劳特性。在具有晶体管结构的存储设备的电容器中，电容器包括形成在晶体管结构的掺杂区上的、包括金属电极和金属氧化物电极的下部电极，围绕下部电极的铁电层，和形成在铁电层上的上部电极。
-
公开(公告)号：CN102074650A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010510702.6
申请日：2010-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/146 , H01L27/249 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1226 , H01L45/1666
Abstract: 本发明公开了非易失性存储器器件以及其制造方法和操作方法。一种非易失性存储器器件，其包括：至少一个水平电极；至少一个垂直电极，所述至少一个垂直电极被设置成与所述至少一个水平电极交叉于交叉区域；至少一个数据层，所述至少一个数据层被设置在所述交叉区域中，并且具有导电-绝缘转变特性；以及至少一个抗熔层，所述至少一个抗熔层与所述至少一个数据层串联连接。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101026177B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200610136107.4
申请日：2006-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/12 , B82Y10/00 , G11C11/56 , G11C13/0002 , G11C13/025 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供了一种非易失性存储器件以及操作所述非易失性存储器件的方法。该非易失性存储器件包括开关器件和连接至所述开关器件的存储节点，其中，所述存储节点包括：连接至所述开关器件的下部金属层；依次叠置于所述下部金属层上的第一绝缘层、中间金属层、第二绝缘层、上部金属层和纳米层。
-
公开(公告)号：CN101097966B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200610164051.3
申请日：2006-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 斯蒂法诺维克·詹瑞克 , 赵重来 , 李殷洪
IPC: H01L29/808
CPC classification number: H01L29/8086 , H01L29/66901
Abstract: 本发明公开了一种结型场效应薄膜晶体管(JFETFT)，包括：在基底上形成的第一栅极；在所述第一栅极上形成的第一栅极半导体图案；在所述基底和第一导电类型第一栅极半导体图案上形成的第二导电类型半导体沟道层；和在位于所述第一导电栅极半导体图案两侧的所述第二导电类型半导体图案上形成的源极和漏极。所述JFETFT还可以包括在所述源极和漏极之间的第二导电类型半导体沟道层的一部分上形成的第一导电类型第二栅极半导体图案；和在所述第一导电类型第二栅极半导体图案上形成的第二栅极。
-
公开(公告)号：CN101097966A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200610164051.3
申请日：2006-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 斯蒂法诺维克·詹瑞克 , 赵重来 , 李殷洪
IPC: H01L29/808
CPC classification number: H01L29/8086 , H01L29/66901
Abstract: 本发明公开了一种结型场效应薄膜晶体管(JFETFT)，包括：在基底上形成的第一栅极；在所述第一栅极上形成的第一栅极半导体图案；在所述基底和第一导电类型第一栅极半导体图案上形成的第二导电类型半导体沟道层；和在位于所述第一导电栅极半导体图案两侧的所述第二导电类型半导体图案上形成的源极和漏极。所述JFETFT还可以包括在所述源极和漏极之间的第二导电类型半导体沟道层的一部分上形成的第一导电类型第二栅极半导体图案；和在所述第一导电类型第二栅极半导体图案上形成的第二栅极。
-
公开(公告)号：CN1652336A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510056566.7
申请日：2005-01-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L28/65 , H01L27/10852 , H01L28/55
Abstract: 本发明提供了一种电容器、包括该电容器的存储器件，以及制造该电容器和该存储器件的方法。该电容器包括下电极，形成在下电极上的介质膜，以及形成在介质膜上的上电极，该下电极是由贵金属合金构成的单层。
-
公开(公告)号：CN101068038B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200610159882.1
申请日：2006-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种包括可变电阻材料的非易失性存储器件。该非易失性存储器件包括：下电极；形成在该下电极上的缓冲层，该缓冲层由氧化物构成；形成在该缓冲层上的氧化物层，该氧化物层具有可变电阻特性；以及形成在该氧化物层上的上电极。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
33
records
(took 0.021 seconds)
