公开(公告)号：CN110634865B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN201910553241.1

申请日：2019-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑元根 ,  李宪福 ,  申忠桓 ,  蔡荣锡 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件，包括在其中具有有源图案的基板、横跨有源图案延伸的栅电极和在有源图案上与栅电极横向相邻的源/漏区。该器件还包括接触结构，该接触结构包括在源/漏区上的第一接触、在第一接触上的第二接触以及在第一和第二接触的侧壁上的间隔物。

公开(公告)号：CN107799516B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201710762460.1

申请日：2017-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宰中 ,  蔡荣锡 ,  金相溶 ,  罗勋奏 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/02

Abstract: 一种半导体器件可以包括衬底、第一纳米线、第二纳米线、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、第一金属层和第二金属层。第一栅极绝缘层可以沿着第一纳米线的周界。第二栅极绝缘层可以沿着第二纳米线的周界。第一金属层可以沿着第一纳米线的周界在第一栅极绝缘层的顶表面上。第一金属层可以具有第一晶粒尺寸。第二金属层可以沿着第二纳米线的周界在第二栅极绝缘层的顶表面上。第二金属层可以具有不同于第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸。

公开(公告)号：CN110634865A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910553241.1

申请日：2019-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑元根 ,  李宪福 ,  申忠桓 ,  蔡荣锡 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件，包括在其中具有有源图案的基板、横跨有源图案延伸的栅电极和在有源图案上与栅电极横向相邻的源/漏区。该器件还包括接触结构，该接触结构包括在源/漏区上的第一接触、在第一接触上的第二接触以及在第一和第二接触的侧壁上的间隔物。

公开(公告)号：CN107799516A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710762460.1

申请日：2017-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宰中 ,  蔡荣锡 ,  金相溶 ,  罗勋奏 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L27/0924 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7845 ,  H01L27/0251

Abstract: 一种半导体器件可以包括衬底、第一纳米线、第二纳米线、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、第一金属层和第二金属层。第一栅极绝缘层可以沿着第一纳米线的周界。第二栅极绝缘层可以沿着第二纳米线的周界。第一金属层可以沿着第一纳米线的周界在第一栅极绝缘层的顶表面上。第一金属层可以具有第一晶粒尺寸。第二金属层可以沿着第二纳米线的周界在第二栅极绝缘层的顶表面上。第二金属层可以具有不同于第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸。