公开(公告)号：CN107768445B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN201710469652.3

申请日：2017-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 马克·S·罗德尔 ,  王维一 ,  秦晓叶 ,  罗伯特·M·华莱士

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/20 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，具体地，涉及一种金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。所述MOSFET包括：基底，具有源区、漏区和位于源区与漏区之间的沟道区，所述基底具有在其上的包括三种元素的外延的III‑V族材料；源电极，位于源区上方；漏电极，位于漏区上方；以及在沟道区中的晶体氧化物层，包括形成外延的III‑V族材料上的氧化物，外延的III‑V族材料包括三种元素。

公开(公告)号：CN107768445A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710469652.3

申请日：2017-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 马克·S·罗德尔 ,  王维一 ,  秦晓叶 ,  罗伯特·M·华莱士

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/20 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，具体地，涉及一种金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。所述MOSFET包括：基底，具有源区、漏区和位于源区与漏区之间的沟道区，所述基底具有在其上的包括三种元素的外延的III-V族材料；源电极，位于源区上方；漏电极，位于漏区上方；以及在沟道区中的晶体氧化物层，包括形成外延的III-V族材料上的氧化物，外延的III-V族材料包括三种元素。