公开(公告)号：CN1177353C

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN01110990.4

申请日：2001-03-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹亨洙 ,  李圭现 ,  郑泰荣 ,  金奇南 ,  黄有商

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823456 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/66545

Abstract: 提供一种具有低电阻同时能够形成自对准接触焊盘的金属镶嵌栅电极。具有间隔层和间隔层限定的沟槽的绝缘体提供在半导体衬底上。杂质注入到由沟槽露出的半导体衬底内，形成沟道区。沟槽由导电材料部分地填充形成凹陷的栅电极。沟槽的其余部分由相对于绝缘层有腐蚀选择性的绝缘体填充，形成覆盖栅电极和间隔层的帽盖层。因此，帽盖层作为随后自对准接触工艺中的腐蚀中止层。

公开(公告)号：CN1319881A

公开(公告)日：2001-10-31

申请号：CN01110990.4

申请日：2001-03-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹亨洙 ,  李圭现 ,  郑泰荣 ,  金奇南 ,  黄有商

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823456 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/66545

Abstract: 提供一种具有低电阻同时能够形成自对准接触焊盘的金属镶嵌栅电极。具有间隔层和间隔层限定的沟槽的绝缘体提供在半导体衬底上。杂质注入到由沟槽露出的半导体衬底内,形成沟道区。沟槽由导电材料部分地填充形成凹陷的栅电极。沟槽的其余部分由相对于绝缘层有腐蚀选择性的绝缘体填充,形成覆盖栅电极和间隔层的帽盖层。因此,帽盖层作为随后自对准接触工艺中的腐蚀中止层。