公开(公告)号：CN1779978A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510113434.3

申请日：2005-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具斗训 ,  赵汉九 ,  文周泰 ,  禹相均 ,  吕起成 ,  白炅润

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10814 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10882 ,  H01L27/11502

Abstract: 一种半导体存储器件可以包括具有多个有源区的衬底和在衬底上围绕衬底的有源区的场隔离层。多个有源区的每一个在第一轴的方向上可以具有一长度和在第二轴的方向上可以具有一宽度，以及该长度可以大于该宽度。多个有源区可以被设置在第二轴的方向上的有源区的多个列中，以及相邻列的有源区在第二轴的方向上可以偏移。