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公开(公告)号：CN108075117B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201711159045.3
申请日：2017-11-20
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/485 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01L35/22 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01N27/327 , G01N27/30
Abstract: 本发明涉及多孔硅复合物、其制备方法、用其的碳复合物及各自含其的电极、锂电池和器件。多孔硅复合物簇结构体包括：多孔硅复合物簇，其包括多孔硅复合物二次颗粒和在所述多孔硅复合物二次颗粒的至少一个表面上的第二碳薄片；和在所述多孔硅复合物簇上的碳质层，碳质层包括无定形碳，其中所述多孔硅复合物二次颗粒包括两个或更多个硅一次颗粒的聚集体，所述两个或更多个硅一次颗粒包括硅、在硅的表面上的其中0
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公开(公告)号：CN106165157B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201480071594.3
申请日：2014-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/38 , H01M4/583 , H01M10/052
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/36 , H01M4/386 , H01M4/625 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M2004/027
Abstract: 本发明涉及用于锂二次电池的负极活性材料的制造方法和锂二次电池，并且提供锂二次电池负极活性材料的制造方法，其是通过在干或湿条件下机械磨碎或粉碎粒状硅制造的，所述粒状硅为通过结晶的和非晶的一次Si颗粒附聚形成的二次颗粒状态。
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公开(公告)号：CN104736479B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201380055154.4
申请日：2013-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01M4/366 , C01B33/02 , C01D15/02 , H01M4/13 , H01M4/386 , H01M4/485 , H01M4/625 , H01M10/052 , H01M2220/20 , H01M2220/30 , Y02T10/7011
Abstract: 本发明提供了一种硅纳米粒子，该硅纳米粒子在硅纳米粒子的制造或后处理的过程中添加锂源和碳源来进行表面改性以使在表面包括LixSiyOz相的被膜和碳(C)覆盖层。根据本发明，能够防止在粉碎过程中非常容易氧化的硅纳米粒子的表面氧化。通过将防止了氧化的硅纳米粒子用作阴极材料，能够消除因氧化被膜而导致的容量减少、电解液枯竭等问题，由此能够防止锂二次电池特性劣化的现象。
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公开(公告)号：CN105594026A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480039169.6
申请日：2014-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/48 , H01M4/134 , H01M4/62 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及用于锂二次电池的负极活性材料、包括其的用于负极的组合物和锂二次电池。根据本发明，通过使用非晶硅一次粒子和硅二次粒子(具有附聚的结晶硅一次粒子)作为负极活性材料，附聚的二次粒子的结构性质和内部空隙部分用作用于粒子之间的体积变化的缓冲物，以降低在充电和放电期间活性材料的体积膨胀。因而，可防止硅粒子的非分化，并且结果，即使当实施充电和放电循环时容量也得以保持，以大大改善循环寿命性质。
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公开(公告)号：CN105594026B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201480039169.6
申请日：2014-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/48 , H01M4/134 , H01M4/62 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及用于锂二次电池的负极活性材料、包括其的用于负极的组合物和锂二次电池。根据本发明，通过使用非晶硅一次粒子和硅二次粒子(具有附聚的结晶硅一次粒子)作为负极活性材料，附聚的二次粒子的结构性质和内部空隙部分用作用于粒子之间的体积变化的缓冲物，以降低在充电和放电期间活性材料的体积膨胀。因而，可防止硅粒子的非分化，并且结果，即使当实施充电和放电循环时容量也得以保持，以大大改善循环寿命性质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108075117A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711159045.3
申请日：2017-11-20
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/485 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01L35/22 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01N27/327 , G01N27/30
CPC classification number: H01M4/386 , H01G11/24 , H01G11/38 , H01G11/42 , H01G11/50 , H01M4/04 , H01M4/0471 , H01M4/134 , H01M4/1393 , H01M4/1395 , H01M4/362 , H01M4/364 , H01M4/366 , H01M4/625 , H01M10/052 , H01M2004/021 , H01M2004/027 , Y02E60/13 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01N27/308 , G01N27/327 , H01L35/22 , H01M4/485 , H01M4/628 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及多孔硅复合物、其制备方法、用其的碳复合物及各自含其的电极、锂电池和器件。多孔硅复合物簇结构体包括：多孔硅复合物簇，其包括多孔硅复合物二次颗粒和在所述多孔硅复合物二次颗粒的至少一个表面上的第二碳薄片；和在所述多孔硅复合物簇上的碳质层，碳质层包括无定形碳，其中所述多孔硅复合物二次颗粒包括两个或更多个硅一次颗粒的聚集体，所述两个或更多个硅一次颗粒包括硅、在硅的表面上的其中0
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公开(公告)号：CN106165157A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201480071594.3
申请日：2014-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/38 , H01M4/583 , H01M10/052
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/36 , H01M4/386 , H01M4/625 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M2004/027
Abstract: 本发明涉及用于锂二次电池的负极活性材料的制造方法和锂二次电池，并且提供锂二次电池负极活性材料的制造方法，其是通过在干或湿条件下机械磨碎或粉碎粒状硅制造的，所述粒状硅为通过结晶的和非晶的一次Si颗粒附聚形成的二次颗粒状态。
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公开(公告)号：CN110085856B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201910057393.2
申请日：2019-01-22
IPC: H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及含硅结构体、其制备方法、使用其的碳复合物及各自包括其的电极、锂电池和设备。含硅结构体包括：硅复合物，其包括多孔硅二次颗粒和在所述多孔硅二次颗粒的表面上的第一碳片；在硅复合物上的碳质包覆层，所述碳质包覆层包括第一无定形碳；以及所述硅复合物包括第二无定形碳且具有等于或小于所述碳质包覆层的密度的密度，其中所述多孔硅二次颗粒包括硅复合一次颗粒的聚集体，所述硅复合一次颗粒各自包括硅、在所述硅的表面上的硅低价氧化物、和在所述硅低价氧化物的表面上的第二碳片。
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公开(公告)号：CN110085856A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910057393.2
申请日：2019-01-22
IPC: H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及含硅结构体、其制备方法、使用其的碳复合物及各自包括其的电极、锂电池和设备。含硅结构体包括：硅复合物，其包括多孔硅二次颗粒和在所述多孔硅二次颗粒的表面上的第一碳片；在硅复合物上的碳质包覆层，所述碳质包覆层包括第一无定形碳；以及所述硅复合物包括第二无定形碳且具有等于或小于所述碳质包覆层的密度的密度，其中所述多孔硅二次颗粒包括硅复合一次颗粒的聚集体，所述硅复合一次颗粒各自包括硅、在所述硅的表面上的硅低价氧化物、和在所述硅低价氧化物的表面上的第二碳片。
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公开(公告)号：CN105655568A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201510847013.7
申请日：2015-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/38 , H01M10/052
Abstract: 本公开内容涉及用于锂二次电池的负极活性材料和包括其的锂二次电池。所述用于锂二次电池的负极活性材料包括硅二次颗粒，所述硅二次颗粒为非晶硅一次颗粒和结晶硅一次颗粒的附聚物，其中所述硅二次颗粒包括开孔，所述开孔的尺寸在1nm-10μm的范围内，和所述开孔各自是在所述硅二次颗粒中的细孔连接时形成的。
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