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公开(公告)号：CN111326729B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201911272219.6
申请日：2019-12-12
IPC: H01M4/485 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 提供负极活性材料、包括该负极活性材料的锂二次电池和制备该负极活性材料的方法。所述负极活性材料包括：活性材料芯；以及位于所述活性材料芯上并且包括含锂的氧化物和第一碳质材料的复合包覆层，所述含锂的氧化物具有正交晶体结构。由于包括所述复合包覆层，所述活性材料芯的结构稳定性改善并且在所述活性材料芯的表面上的不可逆的锂消耗反应被抑制，由此导致锂二次电池的寿命特性的增加。
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公开(公告)号：CN108075117A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711159045.3
申请日：2017-11-20
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/485 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01L35/22 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01N27/327 , G01N27/30
CPC classification number: H01M4/386 , H01G11/24 , H01G11/38 , H01G11/42 , H01G11/50 , H01M4/04 , H01M4/0471 , H01M4/134 , H01M4/1393 , H01M4/1395 , H01M4/362 , H01M4/364 , H01M4/366 , H01M4/625 , H01M10/052 , H01M2004/021 , H01M2004/027 , Y02E60/13 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01N27/308 , G01N27/327 , H01L35/22 , H01M4/485 , H01M4/628 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及多孔硅复合物、其制备方法、用其的碳复合物及各自含其的电极、锂电池和器件。多孔硅复合物簇结构体包括：多孔硅复合物簇，其包括多孔硅复合物二次颗粒和在所述多孔硅复合物二次颗粒的至少一个表面上的第二碳薄片；和在所述多孔硅复合物簇上的碳质层，碳质层包括无定形碳，其中所述多孔硅复合物二次颗粒包括两个或更多个硅一次颗粒的聚集体，所述两个或更多个硅一次颗粒包括硅、在硅的表面上的其中0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105655568A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201510847013.7
申请日：2015-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/38 , H01M10/052
Abstract: 本公开内容涉及用于锂二次电池的负极活性材料和包括其的锂二次电池。所述用于锂二次电池的负极活性材料包括硅二次颗粒，所述硅二次颗粒为非晶硅一次颗粒和结晶硅一次颗粒的附聚物，其中所述硅二次颗粒包括开孔，所述开孔的尺寸在1nm-10μm的范围内，和所述开孔各自是在所述硅二次颗粒中的细孔连接时形成的。
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公开(公告)号：CN110085856B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201910057393.2
申请日：2019-01-22
IPC: H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及含硅结构体、其制备方法、使用其的碳复合物及各自包括其的电极、锂电池和设备。含硅结构体包括：硅复合物，其包括多孔硅二次颗粒和在所述多孔硅二次颗粒的表面上的第一碳片；在硅复合物上的碳质包覆层，所述碳质包覆层包括第一无定形碳；以及所述硅复合物包括第二无定形碳且具有等于或小于所述碳质包覆层的密度的密度，其中所述多孔硅二次颗粒包括硅复合一次颗粒的聚集体，所述硅复合一次颗粒各自包括硅、在所述硅的表面上的硅低价氧化物、和在所述硅低价氧化物的表面上的第二碳片。
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公开(公告)号：CN111326729A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201911272219.6
申请日：2019-12-12
IPC: H01M4/485 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 提供负极活性材料、包括该负极活性材料的锂二次电池和制备该负极活性材料的方法。所述负极活性材料包括：活性材料芯；以及位于所述活性材料芯上并且包括含锂的氧化物和第一碳质材料的复合包覆层，所述含锂的氧化物具有正交晶体结构。由于包括所述复合包覆层，所述活性材料芯的结构稳定性改善并且在所述活性材料芯的表面上的不可逆的锂消耗反应被抑制，由此导致锂二次电池的寿命特性的增加。
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公开(公告)号：CN110085856A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910057393.2
申请日：2019-01-22
IPC: H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及含硅结构体、其制备方法、使用其的碳复合物及各自包括其的电极、锂电池和设备。含硅结构体包括：硅复合物，其包括多孔硅二次颗粒和在所述多孔硅二次颗粒的表面上的第一碳片；在硅复合物上的碳质包覆层，所述碳质包覆层包括第一无定形碳；以及所述硅复合物包括第二无定形碳且具有等于或小于所述碳质包覆层的密度的密度，其中所述多孔硅二次颗粒包括硅复合一次颗粒的聚集体，所述硅复合一次颗粒各自包括硅、在所述硅的表面上的硅低价氧化物、和在所述硅低价氧化物的表面上的第二碳片。
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公开(公告)号：CN108075117B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201711159045.3
申请日：2017-11-20
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/485 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01L35/22 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01N27/327 , G01N27/30
Abstract: 本发明涉及多孔硅复合物、其制备方法、用其的碳复合物及各自含其的电极、锂电池和器件。多孔硅复合物簇结构体包括：多孔硅复合物簇，其包括多孔硅复合物二次颗粒和在所述多孔硅复合物二次颗粒的至少一个表面上的第二碳薄片；和在所述多孔硅复合物簇上的碳质层，碳质层包括无定形碳，其中所述多孔硅复合物二次颗粒包括两个或更多个硅一次颗粒的聚集体，所述两个或更多个硅一次颗粒包括硅、在硅的表面上的其中0
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