公开(公告)号：CN1267982C

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN02120222.2

申请日：2002-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳载润 ,  朴文汉 ,  安东浩 ,  洪锡薰 ,  朴暻媛 ,  李正守

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76232

Abstract: 提供一种半导体器件的隔离方法，其中绝缘掩模层形成在半导体衬底的预定区域上。采用绝缘掩模层做掩模，在半导体衬底中形成预定深度的沟槽。在绝缘掩模层上和沟槽的侧壁上形成氧化物层。在氧化物层上形成沟槽衬里层。在形成沟槽衬里层的半导体衬底中的沟槽中形成绝缘填料层，以便填充沟槽。去掉绝缘掩模层。根据该半导体器件的隔离方法，可以减少沿着沟槽的边缘产生凹痕，减少在绝缘掩模层之间的界面产生鸟嘴型氧化物层，并降低漏电流，或提高电特性，如阈值电压。

公开(公告)号：CN100527438C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200510004622.2

申请日：2005-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李化成 ,  上野哲嗣 ,  柳载润 ,  李浩 ,  李承换 ,  金炫锡 ,  朴文汉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L29/7854

Abstract: 一种至少五侧面沟道型FinFET晶体管(鳍式场效应晶体管)，其可以包括：基底；形成在所述基底上的半导体主体，所述主体的设置在长向具有其间夹一沟道区的源/漏极区域，至少所述沟道在基底上方在横贯长向的截面内具有至少五个平面表面；所述主体的沟道区上的栅极绝缘层；以及在栅极绝缘层上形成的栅极。

公开(公告)号：CN100456439C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200410043316.5

申请日：2004-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承换 ,  朴文汉 ,  李化成 ,  李浩 ,  柳载润

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7834 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628

Abstract: 在使用选择性外延生长(SEG)工艺的具有抬高的源极/漏极结构的金属氧化物半导体(MOS)晶体管中，以及在制造具有抬高的源极/漏极结构的MOS晶体管的方法中，在形成外延层后形成源极/漏极扩展结，由此防止源极/漏极结区的恶化。此外，由于采用SEG工艺形成两个栅极隔离物和两个抬高的源极/漏极层，所以源极/漏极扩展结被栅极层的下部部分地覆盖。这缓解了短沟道效应并减小了源极/漏极层中和栅极层中的表面电阻。

公开(公告)号：CN1551311A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410043316.5

申请日：2004-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承换 ,  朴文汉 ,  李化成 ,  李浩 ,  柳载润

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7834 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628

Abstract: 在使用选择性外延生长(SEG)工艺的具有抬高的源极/漏极结构的金属氧化物半导体(MOS)晶体管中，以及在制造具有抬高的源极/漏极结构的MOS晶体管的方法中，在形成外延层后形成源极/漏极扩展结，由此防止源极/漏极结区的恶化。此外，由于采用SEG工艺形成两个栅极隔离物和两个抬高的源极/漏极层，所以源极/漏极扩展结被栅极层的下部部分地覆盖。这缓解了短沟道效应并减小了源极/漏极层中和栅极层中的表面电阻。

公开(公告)号：CN1645629A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200510004622.2

申请日：2005-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李化成 ,  上野哲嗣 ,  柳载润 ,  李浩 ,  李承换 ,  金炫锡 ,  朴文汉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L29/7854

Abstract: 一种至少五侧面沟道型FinFET晶体管(鳍式场效应晶体管)，其可以包括：基底；形成在所述基底上的半导体主体，所述主体的设置在长向具有其间夹一沟道区的源/漏极区域，至少所述沟道在基底上方在横贯长向的截面内具有至少五个平面表面；所述主体的沟道区上的栅极绝缘层；以及在栅极绝缘层上形成的栅极。

公开(公告)号：CN1387248A

公开(公告)日：2002-12-25

申请号：CN02120222.2

申请日：2002-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳载润 ,  朴文汉 ,  安东浩 ,  洪锡薰 ,  朴暻媛 ,  李正守

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76232

Abstract: 提供一种半导体器件的隔离方法,其中绝缘掩模层形成在半导体衬底的预定区域上。采用绝缘掩模层做掩模,在半导体衬底中形成预定深度的沟槽。在绝缘掩模层上和沟槽的侧壁上形成氧化物层。在氧化物层上形成沟槽衬里层。在形成沟槽衬里层的半导体衬底中的沟槽中形成绝缘填料层,以便填充沟槽。去掉绝缘掩模层。根据该半导体器件的隔离方法,可以减少沿着沟槽的边缘产生凹痕,减少在绝缘掩模层之间的界面产生鸟嘴型氧化物层,并降低漏电流,或提高电特性,如阈值电压。