公开(公告)号：CN101086961A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200710104108.5

申请日：2007-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗烈 ,  李昔柱 ,  姜律 ,  赵汉九 ,  姜昌珍 ,  柳在玉 ,  朴省赞

IPC: H01L21/033 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L21/0337

Abstract: 一种形成半导体器件的方法，包括在目标层上形成第一掩模图形，该第一掩模图形露出目标层的第一部分；形成中间材料层，包括在第一掩模图形的侧面和目标层的第一部分上淀积中间材料层薄膜；以及减薄中间材料层薄膜，以形成中间材料层，形成露出中间材料层的第二部分的第二掩模图形，除去中间材料层的露出第二部分，以露出该目标层，以及使用第一和第二掩模图形作为构图掩模，构图该目标层。

公开(公告)号：CN101086961B

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200710104108.5

申请日：2007-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗烈 ,  李昔柱 ,  姜律 ,  赵汉九 ,  姜昌珍 ,  柳在玉 ,  朴省赞

IPC: H01L21/033 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L21/0337

Abstract: 一种形成半导体器件的方法，包括在目标层上形成第一掩模图形，该第一掩模图形露出目标层的第一部分；形成中间材料层，包括在第一掩模图形的侧面和目标层的第一部分上淀积中间材料层薄膜；以及减薄中间材料层薄膜，以形成中间材料层，形成露出中间材料层的第二部分的第二掩模图形，除去中间材料层的露出第二部分，以露出该目标层，以及使用第一和第二掩模图形作为构图掩模，构图该目标层。