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公开(公告)号：CN101655643A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910164010.8
申请日：2004-02-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G03F1/14 , H01L21/84
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法。该方法包括：在绝缘基板上形成栅极线；形成栅极绝缘层；形成半导体；形成包括数据线及漏极的数据导电层；形成钝化层，该钝化层具有露出漏极的一部分及邻接在漏极边界线的栅极绝缘层的上表面的一部分的接触孔；以及形成通过接触孔与漏极连接的像素电极，其中，像素电极通过钝化层中的接触孔与漏极的上表面以及邻接在漏极边界线的栅极绝缘层的上表面的一部分相接触。根据本发明，防止在接触部露出布线边界时，布线下部发生下切，可以缓慢确保接触部的侧面。通过它可以防止在接触部发生断线，可以稳定安装驱动集成电路，因此，可以确保接触部的可靠性。
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公开(公告)号：CN100388506C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN02812690.4
申请日：2002-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/28 , G02F1/1343 , G02F1/136 , G02F1/1345
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , H01L21/76805 , H01L21/76816 , H01L23/53223 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在制造用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列衬底的方法中，在衬底(10)上形成含铬基下层(111，601)和铝合金基上层(112，602)并水平延伸的栅极线组件(11)。栅极线组件具有栅极线(22)、栅极电极(26)和栅极垫(24)。在绝缘衬底(10)上沉积覆盖栅极线组件的栅极绝缘层(30)。在栅极绝缘层(30)上顺序形成半导体层(40)和欧姆接触层(55，56)。在欧姆接触层上形成含铬基下层(601)和铝合金基上层(602)的数据线组件(62)。数据线组件具有交叉在栅极线(22)上方的数据线(62)、源极电极(65)和漏极电极(66)、及数据垫(68)。在衬底上沉积保护层(70)并对其构图，形成暴露漏极电极(66)、栅极垫(24)和数据垫(68)的接触孔(13，74，76，78)。栅极线组件和数据线组件的下层(601)的侧壁经接触孔(13，74，76，78)暴露。在衬底上沉积IZO基层(14)并对其构图，形成像素电极(82)、辅助栅极垫(86)及辅助数据垫(88)。像素电极(82)连接漏极电极(66)的侧壁，辅助栅极及数据垫(86，88)连接栅极及数据垫(24，68)的侧壁。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100465704C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN03164805.3
申请日：2003-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/133 , H01L21/00 , H01L29/786 , H01L21/336 , G03F7/00
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/13439 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2001/136236 , G02F2001/13629 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/4908
Abstract: 在衬底上形成栅极线。依次淀积栅极绝缘层，本征a-Si层，非本征a-Si层，Cr构成的下膜，和含Al金属构成的上膜。在上膜上形成光刻胶，光刻胶在布线区域上具有较厚的第一部分，在沟道区域上具有较薄的第二部分。湿蚀刻在其余区域上的上膜，与光刻胶的第二部分一起干蚀刻其余区域上的下膜和a-Si层。除去沟道区域上的上膜、下膜、和非本征a-Si层。用湿蚀刻除去沟道区域上的上膜和下膜，除去沟道区域上的上膜后，再除去光刻胶的第一部分。
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公开(公告)号：CN1628389A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN02812690.4
申请日：2002-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/28 , G02F1/1343 , G02F1/136 , G02F1/1345
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , H01L21/76805 , H01L21/76816 , H01L23/53223 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在制造用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列衬底的方法中，在衬底(10)上形成含铬基下层(111，601)和铝合金基上层(112，602)并水平延伸的栅极线组件(11)。栅极线组件具有栅极线(22)、栅极电极(26)和栅极垫(24)。在绝缘衬底(10)上沉积覆盖栅极线组件的栅极绝缘层(30)。在栅极绝缘层(30)上顺序形成半导体层(40)和欧姆接触层(55，56)。在欧姆接触层上形成含铬基下层(601)和铝合金基上层(602)的数据线组件(62)。数据线组件具有交叉在栅极线(22)上方的数据线(62)、源极电极(65)和漏极电极(66)、及数据垫(68)。在衬底上沉积保护层(70)并对其构图，形成暴露漏极电极(66)、栅极垫(24)和数据垫(68)的接触孔(13，74，76，78)。栅极线组件和数据线组件的下层(601)的侧壁经接触孔(13，74，76，78)暴露。在衬底上沉积IZO基层(14)并对其构图，形成像素电极(82)、辅助栅极垫(86)及辅助数据垫(88)。像素电极(82)连接漏极电极(66)的侧壁，辅助栅极及数据垫(86，88)连接栅极及数据垫(24，68)的侧壁。
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公开(公告)号：CN1519955B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200410039503.6
申请日：2004-02-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/00 , H01L21/336 , G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F2001/136236 , G03F1/00
Abstract: 沉积钝化层并形成光致抗蚀剂。该光致抗蚀剂包括厚度逐渐变小的第一至第三部分，第二部分位于漏极及一部分数据线之上，第三部分位于一部分数据线之上。形成这种光致抗蚀剂的掩膜置于第二部分对应的区域，具有宽度和间距约0.8-2.0μm的多个直线形狭缝。钝化层和其下的半导体层与光致抗蚀剂一同蚀刻，以露出第三部分下面栅极绝缘层部分和第二部分下面钝化层。除去钝化层和栅极绝缘层露出部分，同时露出漏极和栅极线及数据线和一部分半导体层，再除去露出的半导体层部分。
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公开(公告)号：CN1519955A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200410039503.6
申请日：2004-02-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/00 , H01L21/336 , G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F2001/136236 , G03F1/00
Abstract: 沉积钝化层并形成光致抗蚀剂。该光致抗蚀剂包括厚度逐渐变小的第一至第三部分，第二部分位于漏极及一部分数据线之上，第三部分位于一部分数据线之上。形成这种光致抗蚀剂的掩膜置于第二部分对应的区域，具有宽度和间距约0.8－2.0μm的多个直线形狭缝。钝化层和其下的半导体层与光致抗蚀剂一同蚀刻，以露出第三部分下面栅极绝缘层部分和第二部分下面钝化层。除去钝化层和栅极绝缘层露出部分，同时露出漏极和栅极线及数据线和一部分半导体层，再除去露出的半导体层部分。
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公开(公告)号：CN1495478A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03164805.3
申请日：2003-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/133 , H01L21/00 , H01L29/786 , H01L21/336 , G03F7/00
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/13439 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2001/136236 , G02F2001/13629 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/4908
Abstract: 在衬底上形成栅极线。依次淀积栅极绝缘层，本征a－Si层，非本征a－Si层，Cr构成的下膜，和含Al金属构成的上膜。在上膜上形成光刻胶，光刻胶在布线区域上具有较厚的第一部分，在沟道区域上具有较薄的第二部分。湿蚀刻在其余区域上的上膜，与光刻胶的第二部分一起干蚀刻其余区域上的下膜和a－Si层。除去沟道区域上的上膜、下膜、和非本征a－Si层。用湿蚀刻除去沟道区域上的上膜和下膜，除去沟道区域上的上膜后，再除去光刻胶的第一部分。
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