公开(公告)号：CN119835945A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202410943565.7

申请日：2024-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵柱盛 ,  金鹤善 ,  白在馥 ,  尹康五 ,  尹泽硅 ,  李东镇 ,  李载德 ,  林世真 ,  韩智勋

IPC: H10B43/40 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B41/41 ,  H10B41/27 ,  H10B41/35

Abstract: 本公开涉及半导体存储器件。示例半导体存储器件包括：单元区域；以及外围电路区域，与单元区域电连接。单元区域包括：多个栅电极，彼此间隔开，并且在竖直方向上堆叠；以及沟道结构，沿竖直方向延伸穿过多个栅电极。外围电路区域包括：衬底；第一元件隔离结构；第一栅极结构，在第一有源区域上；第二元件隔离结构；第二栅极结构，在第二有源区域上；第三元件隔离结构；以及第三栅极结构，在第三有源区域上。第三元件隔离结构包括第一元件隔离图案和第二元件隔离图案。第一元件隔离图案和第二元件隔离图案包括彼此不同的材料。