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公开(公告)号：CN1253599C
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN01110401.5
申请日：2001-03-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在用于减轻和/或消除基于二氯甲硅烷基的CVD多晶硅硅化物WSix膜中底层多晶硅的异常生长的工艺中，第一种技术是在基本上能够避免底层多晶硅结晶的温度进行底层多晶硅层的淀积。第二种方法是减小甲硅烷SiH4后冲洗暴露(例如持续时间和/或浓度)，以避免硅侵入到底层多晶硅层，产生异常生长。以这种方式，可以消除异常现象，例如在后来的层中出现的应力破裂。
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公开(公告)号：CN1241242C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN02105694.3
申请日：2002-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/311 , H01L29/78
CPC classification number: C23C16/401 , C23C16/56
Abstract: 一种制造绝缘层的方法保证了利用类似制造装置的再现性。该绝缘层是通过以下步骤在衬底上形成的：(a)以氧化气体流量流入氧化气体，(b)以第一载气流量流入第一载气，同时载有以第一杂质流量流入的包括硼的第一杂质，和(c)以第二载气流量流入第二载气，同时载有以第二杂质流量流入的包括磷的第二杂质，和(d)以硅源流量流入硅源材料。第二载气流量高于第一载气流量。
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公开(公告)号：CN1381875A
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN02105694.3
申请日：2002-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/311 , H01L29/78
CPC classification number: C23C16/401 , C23C16/56
Abstract: 一种制造绝缘层的方法保证了利用类似制造装置的再现性。该绝缘层是通过以下步骤在衬底上形成的:(a)以氧化气体流量流入氧化气体,(b)以第一载气流量流入第一载气,同时载有以第一杂质流量流入的包括硼的第一杂质,和(c)以第二载气流量流入第二载气,同时载有以第二杂质流量流入的包括磷的第二杂质,和(d)以硅源流量流入硅源材料。第二载气流量高于第一载气流量。
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