公开(公告)号：CN1241242C

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN02105694.3

申请日：2002-04-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑佑讚 ,  田真镐 ,  林全植 ,  李钟昇

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L29/78

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/56

Abstract: 一种制造绝缘层的方法保证了利用类似制造装置的再现性。该绝缘层是通过以下步骤在衬底上形成的：(a)以氧化气体流量流入氧化气体，(b)以第一载气流量流入第一载气，同时载有以第一杂质流量流入的包括硼的第一杂质，和(c)以第二载气流量流入第二载气，同时载有以第二杂质流量流入的包括磷的第二杂质，和(d)以硅源流量流入硅源材料。第二载气流量高于第一载气流量。

公开(公告)号：CN1381875A

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN02105694.3

申请日：2002-04-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑佑讚 ,  田真镐 ,  林全植 ,  李钟昇

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L29/78

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/56

Abstract: 一种制造绝缘层的方法保证了利用类似制造装置的再现性。该绝缘层是通过以下步骤在衬底上形成的:(a)以氧化气体流量流入氧化气体,(b)以第一载气流量流入第一载气,同时载有以第一杂质流量流入的包括硼的第一杂质,和(c)以第二载气流量流入第二载气,同时载有以第二杂质流量流入的包括磷的第二杂质,和(d)以硅源流量流入硅源材料。第二载气流量高于第一载气流量。