公开(公告)号：CN112309448B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202010336703.7

申请日：2020-04-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李道田 ,  金杜应 ,  金真怜

IPC: G11C7/12 ,  G11C7/18 ,  G11C8/08 ,  G11C8/14

Abstract: 一种存储器件包括：板，包括多个字线、多个位线、以及与多个字线中的第一字线和多个位线中的第一位线连接的存储单元；行解码器，被配置为在与存储单元相关联的存取操作中，将字线中的与第一字线邻近的至少一个字线偏置，并且将多个字线中的与第一字线不邻近的其余非邻近字线浮置；以及列解码器，被配置为在存取操作中，将位线中的与第一位线邻近的至少一个位线偏置，并且将多个位线中的与第一位线不邻近的其余非邻近位线浮置。

公开(公告)号：CN118230772A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311651825.5

申请日：2023-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜弼圭 ,  金治贤 ,  朴俊泓 ,  尹梓洋 ,  尹治元 ,  李道田

IPC: G11C5/14 ,  G11C8/08 ,  G11C7/12

Abstract: 提供了包括电压生成器的非易失性存储器件和操作非易失性存储器件的方法，所述方法包括：计算第一字线节点的电压电平与第二字线节点的电压电平之间的差；基于所述电压电平之间的差将所述电压生成器的第一参考电压电平改变为第二参考电压电平；以及基于所述第一参考电压电平和所述第二参考电压电平中的一者确定目标电压电平。与所述第二字线节点相比，所述第一字线节点可以更靠近所述电压生成器的输出端。

公开(公告)号：CN116343846A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211644135.2

申请日：2022-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李道田 ,  朴俊泓 ,  张基昌

IPC: G11C5/14 ,  G11C7/12 ,  G11C8/08

Abstract: 一种半导体器件包括：第一电压生成电路，被配置为基于温度输出第一电压；模数转换器，被配置为将第一电压转换为温度码；码转换逻辑，被配置为基于温度码输出温度段中的该温度所属的温度段的偏移码和电平码；偏移电压生成电路，被配置为基于偏移码输出偏移电压；第二电压生成电路，被配置为基于电平码输出在温度段内具有恒定值的第二电压；以及温度补偿电压生成电路，被配置为接收第一电压、第二电压、偏移电压和反馈电压并输出温度补偿电压，反馈电压基于第一电压、第二电压和偏移电压。

公开(公告)号：CN112309464A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010703366.0

申请日：2020-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李道田 ,  罗太熙

IPC: G11C13/00

Abstract: 提供了一种电阻式存储器设备。该电阻式存储器设备包括电连接到局部字线节点的电阻式存储器单元；局部字线晶体管，被配置为将局部字线节点电连接到全局字线节点；全局字线晶体管，被配置为将全局字线节点电连接到感测节点；以及裕度补偿电路，包括电连接到局部字线节点和全局字线节点的裕度补偿开关。

公开(公告)号：CN112309448A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010336703.7

申请日：2020-04-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李道田 ,  金杜应 ,  金真怜

IPC: G11C7/12 ,  G11C7/18 ,  G11C8/08 ,  G11C8/14

Abstract: 一种存储器件包括：板，包括多个字线、多个位线、以及与多个字线中的第一字线和多个位线中的第一位线连接的存储单元；行解码器，被配置为在与存储单元相关联的存取操作中，将字线中的与第一字线邻近的至少一个字线偏置，并且将多个字线中的与第一字线不邻近的其余非邻近字线浮置；以及列解码器，被配置为在存取操作中，将位线中的与第一位线邻近的至少一个位线偏置，并且将多个位线中的与第一位线不邻近的其余非邻近位线浮置。