公开(公告)号：CN111965959A

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN202010008602.7

申请日：2020-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 千知训 ,  李贤贞 ,  全杓珍 ,  赵庸真 ,  李源俊

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种用于制造半导体器件的装置和用于去除光刻胶的装置。所述用于制造半导体器件的装置可以包括喷嘴和紫外线发射器，所述喷嘴具有被构造成喷射溶液的狭缝，所述紫外线发射器设置在所述喷嘴的外部。所述紫外线发射器和所述喷嘴可以被构造成能够水平移动。所述狭缝可以设置在所述喷嘴的底表面上。

公开(公告)号：CN108257893B

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN201711470648.5

申请日：2017-12-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  细美事有限公司

Inventor： 张原浩 ,  裵正龙 ,  金禹永 ,  李贤贞 ,  朴世真 ,  高镛璿 ,  韩东均 ,  沈雨宽 ,  金鹏

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种基板处理装置，包括：腔室，提供处理基板的空间；第一基板支撑件，在腔室内并且构造为当基板装载到腔室中时支撑基板；第二基板支撑件，在腔室内并且构造为以比第一基板支撑件支撑基板的高度更大的高度支撑基板；第一供应端口，超临界流体通过第一供应端口被供应到腔室空间的在基板下方的第一空间；第二供应端口，超临界流体通过第二供应端口被供应到腔室空间的在基板上方的第二空间；以及排放端口，超临界流体通过排放端口从腔室排出。

公开(公告)号：CN102169904A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110008745.9

申请日：2011-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金己园 ,  尹甲洙 ,  金度贤 ,  李贤贞

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明提供一种显示基板。该显示基板包括：设置在基板上的栅互连；设置在该栅互连上且包括氧化物半导体的氧化物半导体图案；以及设置在该氧化物半导体图案上的数据互连。该氧化物半导体图案包括：具有第一氧化物和第一元素的第一氧化物半导体图案；以及具有第二氧化物的第二氧化物半导体图案。

公开(公告)号：CN108257893A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201711470648.5

申请日：2017-12-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  细美事有限公司

Inventor： 张原浩 ,  裵正龙 ,  金禹永 ,  李贤贞 ,  朴世真 ,  高镛璿 ,  韩东均 ,  沈雨宽 ,  金鹏

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02101 ,  B08B3/08 ,  B08B7/0021 ,  B08B2203/007 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/67207

Abstract: 一种基板处理装置，包括：腔室，提供处理基板的空间；第一基板支撑件，在腔室内并且构造为当基板装载到腔室中时支撑基板；第二基板支撑件，在腔室内并且构造为以比第一基板支撑件支撑基板的高度更大的高度支撑基板；第一供应端口，超临界流体通过第一供应端口被供应到腔室空间的在基板下方的第一空间；第二供应端口，超临界流体通过第二供应端口被供应到腔室空间的在基板上方的第二空间；以及排放端口，超临界流体通过排放端口从腔室排出。