公开(公告)号：CN116171037A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202211111055.0

申请日：2022-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴志云 ,  朴影根 ,  李豪真

IPC: H10B12/00

Abstract: 公开一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底；接触结构，穿透衬底；底电极，在衬底上并连接到接触结构；介电层，覆盖底电极；以及顶电极，在底电极上。介电层将顶电极与底电极分开。接触结构包括下导电图案和在下导电图案上的上导电图案。上导电图案包括第一金属的注入掺杂剂的氮化物。

公开(公告)号：CN116072611A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202210967697.4

申请日：2022-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  朴范琎 ,  成石铉 ,  李豪真 ,  金洞院 ,  李东奎 ,  李明宣 ,  赵槿汇 ,  崔汉别 ,  河智龙

IPC: H01L21/8234

Abstract: 公开了半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，在基底上，其中，有源图案包括彼此堆叠的多个沟道层；多个源极/漏极图案，在第一方向上彼此间隔开并且布置在有源图案上，其中，所述多个源极/漏极图案通过所述多个沟道层彼此连接；以及第一栅电极和第二栅电极，至少部分地围绕沟道层并且在第二方向上延伸，其中，第二方向与第一方向相交，其中，有源图案具有第一侧壁和面向第一侧壁的第二侧壁，并且其中，有源图案的第一侧壁与第一栅电极的外侧壁之间的第一距离和有源图案的第二侧壁与第二栅电极的外侧壁之间的第二距离不同。