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公开(公告)号：CN110908930A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201910806885.7
申请日：2019-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/1009
Abstract: 公开了一种存储器控制器及其操作方法及一种存储设备。所述存储器控制器包括：存储器，所述存储器被配置为存储地址映射表和段映射表；以及映射数据管理模块，所述映射数据管理模块被配置为选择所述地址映射表中包括的多个段中的至少两个更新后的段，作为要存储在非易失性存储器的一个页面中的页面数据，其中，所述多个段中的每个段包括多个表示逻辑地址和物理地址之间的映射信息的映射条目，并且其中，所述段映射表包括表示所述多个段中的每个段在所述非易失性存储器中所存储的区域的物理地址。
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公开(公告)号：CN109933541A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201811431719.5
申请日：2018-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02
Abstract: 一种非易失性存储器系统及其操作方法。为了操作包括非易失性存储器装置和存储器控制器的非易失性存储器系统，映射存储器被划分为多个映射存储区域，其中，所述映射存储器存储表示主机装置的逻辑地址与非易失性存储器装置的物理地址之间的映射关系的映射数据。提供表示所述多个映射存储区域中的每个映射存储区域中是否存储了映射数据的占用信息。基于所述占用信息，将用户数据存储在所述多个映射存储区域中的未存储映射数据的相应映射存储区域中。
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公开(公告)号：CN116107492A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211337580.4
申请日：2022-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储装置及其操作方法。该存储装置包括非易失性存储器和存储控制器，非易失性存储器包括多个存储区域，存储控制器被配置为通过性能路径和至少一个直接路径来控制非易失性存储器，存储控制器包括被配置为存储恢复数据的缓冲存储器，其中，存储控制器响应于断电和在性能路径中检测到故障，通过至少一个直接路径将恢复数据写入到非易失性存储器，性能路径是用于执行写入操作、读取操作和擦除操作的路径，并且至少一个直接路径是仅用于执行写入操作的路径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115248748A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210441483.3
申请日：2022-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/14
Abstract: 公开了一种存储装置和操作该存储装置的方法。第一固件元数据和第二固件元数据基于存储在非易失性存储器装置中的非易失性元数据。可执行正常操作，正常操作包括导致第一固件元数据的变化的第一管理操作和访问非易失性存储器装置的访问操作。执行虚拟操作，虚拟操作包括导致第二固件元数据的变化的第二管理操作，并且在虚拟操作中不执行访问操作。通过将由第一管理操作导致的第一固件元数据的变化与由第二管理操作导致的第二固件元数据的变化进行比较来确定在第一固件元数据中是否出现了错误。可以通过冗余地执行导致元数据的变化的管理操作而不对应地访问非易失性存储器装置来监视元数据中的错误。
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公开(公告)号：CN110908930B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN201910806885.7
申请日：2019-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/1009
Abstract: 公开了一种存储器控制器及其操作方法及一种存储设备。所述存储器控制器包括：存储器，所述存储器被配置为存储地址映射表和段映射表；以及映射数据管理模块，所述映射数据管理模块被配置为选择所述地址映射表中包括的多个段中的至少两个更新后的段，作为要存储在非易失性存储器的一个页面中的页面数据，其中，所述多个段中的每个段包括多个表示逻辑地址和物理地址之间的映射信息的映射条目，并且其中，所述段映射表包括表示所述多个段中的每个段在所述非易失性存储器中所存储的区域的物理地址。
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公开(公告)号：CN116400848A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211643018.4
申请日：2022-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种包括非易失性存储器的存储器存储设备和电子设备。所述存储器存储设备包括：非易失性存储器，所述非易失性存储器包括多个存储块；以及存储器控制器，所述存储器控制器被配置为控制所述非易失性存储器，所述存储器控制器还被配置为向所述非易失性存储器提供包括写入数据的主机数据，所述存储器控制器还被配置为：当所述多个存储块的空闲块计数小于第一阈值时，对所述多个存储块执行垃圾收集操作以向所述非易失性存储器提供垃圾收集数据，其中，所述存储器控制器还被配置为：当所述多个存储块的所述空闲块计数大于比所述第一阈值小的第二阈值并且所述多个存储块中的第一存储块的有效页计数小于第三阈值时，增加用于提供所述主机数据的容量。
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公开(公告)号：CN116266151A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202211440989.9
申请日：2022-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储装置及其操作方法。提供的是一种存储装置。所述存储装置包括：存储单元；以及存储装置控制器，所述存储装置控制器包括闪存控制器和处理器，所述闪存控制器对所述存储单元执行数据操作，所述处理器运行RTOS(实时操作系统)以便控制所述闪存控制器，其中所述RTOS与所述存储装置控制器通信并以正常操作模式操作，当缺陷发生时，所述RTOS在调试模式下生成快照数据，所述RTOS在所述正常操作模式下通过上下文切换来切换到所述调试模式，并且当在执行在所述调试模式下生成所述快照数据的操作时紧急工作出现时，所述RTOS以所述正常操作模式操作。
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