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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116400848A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211643018.4
申请日：2022-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种包括非易失性存储器的存储器存储设备和电子设备。所述存储器存储设备包括：非易失性存储器，所述非易失性存储器包括多个存储块；以及存储器控制器，所述存储器控制器被配置为控制所述非易失性存储器，所述存储器控制器还被配置为向所述非易失性存储器提供包括写入数据的主机数据，所述存储器控制器还被配置为：当所述多个存储块的空闲块计数小于第一阈值时，对所述多个存储块执行垃圾收集操作以向所述非易失性存储器提供垃圾收集数据，其中，所述存储器控制器还被配置为：当所述多个存储块的所述空闲块计数大于比所述第一阈值小的第二阈值并且所述多个存储块中的第一存储块的有效页计数小于第三阈值时，增加用于提供所述主机数据的容量。
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公开(公告)号：CN109725850B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN201811255820.X
申请日：2018-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 公开了一种存储设备，包括非易失性存储器，该非易失性存储器包括第一块、第二块和块管理区域，块管理区域存储第一块和第二块中的每一个的初始数据写入时间和最终数据写入时间。存储设备还包括存储器控制器，该存储器控制器响应于标识第一数据的永久删除命令来确定第一数据的创建时间和修改时间、通过将第一块和第二块中的每一个的初始数据写入时间和最终数据写入时间与创建时间和修改时间相比较，选择要永久删除的第一块和第二块中的至少一个，并永久地删除所选择的第一块和第二块中的至少一个。
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公开(公告)号：CN116107492A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211337580.4
申请日：2022-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储装置及其操作方法。该存储装置包括非易失性存储器和存储控制器，非易失性存储器包括多个存储区域，存储控制器被配置为通过性能路径和至少一个直接路径来控制非易失性存储器，存储控制器包括被配置为存储恢复数据的缓冲存储器，其中，存储控制器响应于断电和在性能路径中检测到故障，通过至少一个直接路径将恢复数据写入到非易失性存储器，性能路径是用于执行写入操作、读取操作和擦除操作的路径，并且至少一个直接路径是仅用于执行写入操作的路径。
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公开(公告)号：CN116126222A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211424677.9
申请日：2022-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供了包括非易失性存储器装置的存储装置。所述存储装置包括：存储器装置，存储下层位图和上层位图，下层位图指示逻辑扇区在主机中是否为无效，上层位图指示各自包括连续的逻辑扇区的逻辑组是否为无效；以及控制器，控制存储器装置并且包括日志缓冲器。控制器可从主机接收针对一个或多个目标逻辑扇区的修剪命令、并使用上层位图来确定包括目标逻辑扇区的一个或多个目标逻辑组是否为无效，将包括不为无效的目标逻辑组中包括的目标逻辑扇区的地址信息的修剪日志存储在日志缓冲器中、且不存储针对无效的目标逻辑组中包括的目标逻辑扇区的修剪日志，并且使目标逻辑扇区无效。
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公开(公告)号：CN109725850A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811255820.X
申请日：2018-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 公开了一种存储设备，包括非易失性存储器，该非易失性存储器包括第一块、第二块和块管理区域，块管理区域存储第一块和第二块中的每一个的初始数据写入时间和最终数据写入时间。存储设备还包括存储器控制器，该存储器控制器响应于标识第一数据的永久删除命令来确定第一数据的创建时间和修改时间、通过将第一块和第二块中的每一个的初始数据写入时间和最终数据写入时间与创建时间和修改时间相比较，选择要永久删除的第一块和第二块中的至少一个，并永久地删除所选择的第一块和第二块中的至少一个。
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