公开(公告)号：CN113764363A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110257151.5

申请日：2021-03-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳孝昌 ,  金喆禹 ,  柳周铉 ,  李相贤 ,  崔允硕

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体封装，包括：第一基板；在第一基板上彼此间隔开的第一芯片结构和第二芯片结构，在第一芯片结构和第二芯片结构之间限定有间隙区域；以及覆盖第一芯片结构、第二芯片结构和第一基板的散热构件，该散热构件在该散热构件的内顶表面中包括第一沟槽，其中，第一沟槽与间隙区域竖直地重叠并且宽度大于间隙区域的宽度，并且其中第一沟槽至少与第一芯片结构的顶表面的一部分或第二芯片结构的顶表面的一部分竖直地重叠。

公开(公告)号：CN110085586A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201910067000.6

申请日：2019-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申洪湜 ,  李相贤 ,  安学润 ,  吴省翰 ,  吴怜默

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：在半导体基板上的金属图案；覆盖金属图案的蚀刻停止层，该蚀刻停止层包括顺序堆叠的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层；在蚀刻停止层上的层间电介质层；和穿透层间电介质层和蚀刻停止层的接触插塞，该接触插塞连接到金属图案，其中第一绝缘层包括包含金属性元素和氮的第一绝缘材料，其中第二绝缘层包括含碳的第二绝缘材料，以及其中第三绝缘层包括不含金属性元素和碳的第三绝缘材料。