等离子体处理系统、电子束发生器及半导体器件制造方法

    公开(公告)号:CN109698109A

    公开(公告)日:2019-04-30

    申请号:CN201811228077.9

    申请日:2018-10-22

    Abstract: 腔室具有上壳体和下壳体并接收反应气体。第一等离子体源包括电子束源,电子束源将电子束提供到上壳体中以产生上部等离子体。第二等离子体源包括孔,孔在连接上壳体和下壳体的孔内产生下部等离子体。上部等离子体的自由基、下部等离子体的自由基和下部等离子体的离子通过所述孔被提供到下壳体,使得下壳体具有离子与自由基在浓度上的预定比率的自由基和离子。第二等离子体源将腔室分成上壳体和下壳体。晶片卡盘位于下壳体中以接收晶片。

    等离子体处理系统、电子束发生器及半导体器件制造方法

    公开(公告)号:CN109698109B

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN201811228077.9

    申请日:2018-10-22

    Abstract: 腔室具有上壳体和下壳体并接收反应气体。第一等离子体源包括电子束源,电子束源将电子束提供到上壳体中以产生上部等离子体。第二等离子体源包括孔,孔在连接上壳体和下壳体的孔内产生下部等离子体。上部等离子体的自由基、下部等离子体的自由基和下部等离子体的离子通过所述孔被提供到下壳体,使得下壳体具有离子与自由基在浓度上的预定比率的自由基和离子。第二等离子体源将腔室分成上壳体和下壳体。晶片卡盘位于下壳体中以接收晶片。

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