公开(公告)号：CN110828419B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN201910387172.1

申请日：2019-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东阁 ,  孙渊豪 ,  李梦燮 ,  李昱烈

IPC: H01L23/535 ,  H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了集成电路(IC)器件。IC器件包括衬底，衬底包括有源区。IC器件包括衬底上的位线。IC器件包括连接在有源区与位线之间的直接接触部。IC器件包括衬底上的接触插塞。此外，IC器件包括在接触插塞和直接接触部之间的含硼绝缘图案。

公开(公告)号：CN110993637A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201910839913.5

申请日：2019-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜玧求 ,  徐昌佑 ,  李多仁 ,  李昱烈 ,  郑会晟

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

Abstract: 本公开涉及可变电阻存储器件。所述可变电阻存储器件包括布置在衬底上的存储单元和位于存储单元之间的绝缘结构。每个所述存储单元包括竖直堆叠在所述衬底上的可变电阻图案和开关图案。所述绝缘结构包括位于所述存储单元之间的第一绝缘图案以及位于第一绝缘图案与每个所述存储单元之间的第二绝缘图案。所述第一绝缘图案包括与所述第二绝缘图案的材料不同的材料。

公开(公告)号：CN108133935A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201710805628.2

申请日：2017-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩升煜 ,  洪守珍 ,  李昱烈

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/11

CPC classification number: H01L27/10823 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76877 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10897 ,  H01L28/90 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/4236 ,  H01L27/10829 ,  H01L27/1104

Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括：半导体基底；沟槽隔离层，位于半导体基底上，并且被构造为限定有源区；多衬垫层，位于包括沟槽隔离层的沟槽的内侧壁上。多衬垫层可以包括位于沟槽的内侧壁上的第一衬垫层、位于第一衬垫层上的第二衬垫层以及位于第二衬垫层上的第三衬垫层。

公开(公告)号：CN110993637B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN201910839913.5

申请日：2019-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜玧求 ,  徐昌佑 ,  李多仁 ,  李昱烈 ,  郑会晟

IPC: H10B63/10 ,  H10N70/00

Abstract: 本公开涉及可变电阻存储器件。所述可变电阻存储器件包括布置在衬底上的存储单元和位于存储单元之间的绝缘结构。每个所述存储单元包括竖直堆叠在所述衬底上的可变电阻图案和开关图案。所述绝缘结构包括位于所述存储单元之间的第一绝缘图案以及位于第一绝缘图案与每个所述存储单元之间的第二绝缘图案。所述第一绝缘图案包括与所述第二绝缘图案的材料不同的材料。

公开(公告)号：CN1873987A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610089977.0

申请日：2006-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金敬锡 ,  邢庸宇 ,  朴栽永 ,  李铉德 ,  任基彬 ,  李昱烈 ,  李高银 ,  金永镇 ,  南硕祐

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/02 ,  H01L27/00 ,  H01L29/94 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L28/75 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90

Abstract: 在具有半导体－绝缘体－金属(SIM)结构的电容器中，可以将上电极形成为包括多晶半导体族IV材料的多层结构。介质层可包括金属氧化物，以及下电极可包括基于金属的材料。因此，电容器可以具有足够小的等效氧化物厚度(EOT)和/或可具有改进的电流漏泄特性。

公开(公告)号：CN110828419A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910387172.1

申请日：2019-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东阁 ,  孙渊豪 ,  李梦燮 ,  李昱烈

IPC: H01L23/535 ,  H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了集成电路(IC)器件。IC器件包括衬底，衬底包括有源区。IC器件包括衬底上的位线。IC器件包括连接在有源区与位线之间的直接接触部。IC器件包括衬底上的接触插塞。此外，IC器件包括在接触插塞和直接接触部之间的含硼绝缘图案。