公开(公告)号：CN114361177A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202111192282.6

申请日：2021-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李明勳 ,  申东夏 ,  郭判硕 ,  边大锡

IPC: H01L27/11582

Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：模制结构，包括堆叠在第一基底上的栅电极；沟道结构，穿透模制结构的第一区域，以与栅电极交叉；第一贯穿结构，穿透模制结构的第二区域；以及第二贯穿结构，穿透模制结构的第三区域。模制结构还包括：存储器单元块，在第一方向上延伸，并且在第二方向上间隔开；以及虚设块，在第一方向上延伸，并且设置在存储器单元块之间。存储器单元块和虚设块中的每个包括布置在第一方向上的单元区域和延伸区域。第一区域是存储器单元块中的一个存储器单元块的单元区域，第二区域是存储器单元块中的所述一个存储器单元块的延伸区域，并且第三区域是虚设块的延伸区域。

公开(公告)号：CN118574421A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410002467.3

申请日：2024-01-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李明勳 ,  申昊文

IPC: H10B43/50 ,  H10B43/27 ,  H10B41/50 ,  H10B41/27 ,  H10B80/00

Abstract: 公开了一种存储器装置和制造该存储器装置的方法。该存储器装置可以包括第一结构和接合到第一结构的第二结构。第一结构可以具有多个平面和在多个平面之中的彼此相邻的两个平面之间的焊盘部。多个平面之中的每个可以包括存储器单元。第二结构可以包括外围电路。多个平面可以是独立执行操作的最小单元，并且可以呈n×m阵列(n和m是2或更大的整数)。焊盘部可以在n×m阵列的行之间和/或列之间。

公开(公告)号：CN113571524A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110074431.2

申请日：2021-01-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李明勳 ,  南尚完 ,  玉䈚玟

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578 ,  G11C5/06

Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：外围电路结构，包括下基底、位于下基底中的电弧保护二极管以及连接到电弧保护二极管的公共源极线驱动器；导电板，位于外围电路结构上；单元阵列结构，在竖直方向上与外围电路结构叠置并使导电板位于单元阵列结构与外围电路结构之间；以及第一布线结构，连接在电弧保护二极管与导电板之间。