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公开(公告)号：CN110034139B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201910004072.6
申请日：2019-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器。一种图像传感器包括半导体基板，该半导体基板包括像素区和光学黑区。该图像传感器包括在像素区中的多个光电转换区。该图像传感器包括在半导体基板的第一表面上的布线结构。该图像传感器包括在光学黑区中在半导体基板的第二表面上的光屏蔽层。此外，该图像传感器包括光屏蔽壁结构，该光屏蔽壁结构在像素区与光学黑区之间在半导体基板中并且连接到光屏蔽层。
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公开(公告)号：CN1148978C
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN00121171.4
申请日：2000-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种摄取具有均匀R.G.B亮度值的方法。通过图形发生器在彩色CRT屏幕上显示具有恒定R.G.B亮度的检测图形。通过彩色CCD相机获取被显示的检测图形。当R.G.B亮度值与每个参考亮度值都不同时，控制器通过使用图形发生器调节每个检测图形的R.G.B信号的每个强度，使在彩色CRT屏幕上显示的所有检测图形都具有均匀的R.G.B亮度值。在获得均匀的R.G.B亮度值后，测量会聚度，提高会聚度测量数据可靠性。
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公开(公告)号：CN109962045B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201811195151.1
申请日：2018-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/528 , H01L27/144
Abstract: 一种半导体器件包括在下基板上的下绝缘层、在下绝缘层内部的下焊盘结构、在下绝缘层上的上绝缘层、在上绝缘层内部的上焊盘结构、以及在上绝缘层上的上基板。通路插塞穿过上基板、上绝缘层和下绝缘层中的每个的至少一部分，并且与上焊盘结构和下焊盘结构接触。上焊盘结构包括多个上焊盘导电层和在上焊盘导电层之间的上连接层。上连接层包括导电图案，该导电图案具有与上焊盘导电层中的至少一个的形状不同的形状。通路插塞与上焊盘导电层和上连接层直接接触。
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公开(公告)号：CN117316968A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311289610.3
申请日：2018-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李昌根
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了图像传感器，其包括：含像素区域和焊盘区域的基板，包括相对的第一和第二表面；焊盘区域上的第一和第二焊盘分隔沟槽，分别从第二和第一表面朝彼此延伸且彼此接触；和像素区域上的像素组，包括：分别在第一至第四区中的第一至第四单元像素，第一和第二区在第一方向相邻，第三和第四区在第一方向相邻，在与第一方向垂直的第二方向上第三和第四区分别邻近第二和第一区；源极跟随器栅极和选择栅极；第一和第二单元像素间的像素分隔沟槽，从第二表面朝第一表面延伸；在第一表面和像素分隔沟槽间且接触二者的像素分隔区；像素分隔沟槽中的绝缘图案；以及在第一和第二区中的第二表面上且在绝缘图案上的固定电荷层，图像传感器在第二表面接收光。
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公开(公告)号：CN110034139A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910004072.6
申请日：2019-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器。一种图像传感器包括半导体基板，该半导体基板包括像素区和光学黑区。该图像传感器包括在像素区中的多个光电转换区。该图像传感器包括在半导体基板的第一表面上的布线结构。该图像传感器包括在光学黑区中在半导体基板的第二表面上的光屏蔽层。此外，该图像传感器包括光屏蔽壁结构，该光屏蔽壁结构在像素区与光学黑区之间在半导体基板中并且连接到光屏蔽层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1130924C
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN00121194.3
申请日：2000-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种在当使用彩色相机测量会聚度时使用代表白色图形的红(R)、绿(G)、蓝(B)颜色的组合图形测量彩色阴极射线管的会聚度的方法，可高精度的测量会聚度。该方法在红(R)、绿(G)、和蓝(B)颜色中的一种颜色的基础上，将其他两个颜色与之混合后顺序产生两个检测图形，单独的对形成在彩色阴极射线管的屏幕上的两个彩色图形进行照相，对每个单独的相片图形进行图象信息的信号转换，并存储图象信息，且计算每个被存储的检测图形的图象信息的会聚度。
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公开(公告)号：CN109786408B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN201811256111.3
申请日：2018-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李昌根
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了图像传感器和制造其的方法。图像传感器包括：半导体基板，包括像素区域和焊盘区域，并具有彼此相对的第一表面和第二表面；第一焊盘分隔图案，在焊盘区域上，并从半导体基板的第一表面朝向半导体基板的第二表面延伸；第二焊盘分隔图案，在焊盘区域上从半导体基板的第二表面朝向第一表面延伸，第二焊盘分隔图案与第一焊盘分隔图案接触；以及像素分隔图案，在像素区域上，并从半导体基板的第二表面朝向半导体基板的第一表面延伸。
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公开(公告)号：CN109962045A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811195151.1
申请日：2018-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/528 , H01L27/144
Abstract: 一种半导体器件包括在下基板上的下绝缘层、在下绝缘层内部的下焊盘结构、在下绝缘层上的上绝缘层、在上绝缘层内部的上焊盘结构、以及在上绝缘层上的上基板。通路插塞穿过上基板、上绝缘层和下绝缘层中的每个的至少一部分，并且与上焊盘结构和下焊盘结构接触。上焊盘结构包括多个上焊盘导电层和在上焊盘导电层之间的上连接层。上连接层包括导电图案，该导电图案具有与上焊盘导电层中的至少一个的形状不同的形状。通路插塞与上焊盘导电层和上连接层直接接触。
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公开(公告)号：CN109786408A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811256111.3
申请日：2018-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李昌根
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了图像传感器和制造其的方法。图像传感器包括：半导体基板，包括像素区域和焊盘区域，并具有彼此相对的第一表面和第二表面；第一焊盘分隔图案，在焊盘区域上，并从半导体基板的第一表面朝向半导体基板的第二表面延伸；第二焊盘分隔图案，在焊盘区域上从半导体基板的第二表面朝向第一表面延伸，第二焊盘分隔图案与第一焊盘分隔图案接触；以及像素分隔图案，在像素区域上，并从半导体基板的第二表面朝向半导体基板的第一表面延伸。
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公开(公告)号：CN1312577A
公开(公告)日：2001-09-12
申请号：CN00121194.3
申请日：2000-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种在当使用彩色相机测量会聚度时使用代表白色图形的红(R)、绿(G)、蓝(B)颜色的组合图形测量彩色CRT的会聚度的方法,可高精度的测量会聚度。该方法在红(R)、绿(G)、和蓝(B)颜色中的一种颜色的基础上,将两个颜色混合后顺序产生两个检测图形,单独的对形成在彩色CRT的屏幕上的两个彩色图形进行照相,对每个单独的相片图形进行图象信息的信号转换,并存储图象信息,且计算每个被存储的检测图形的图象信息的会聚度。
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