公开(公告)号：CN109962045A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201811195151.1

申请日：2018-10-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴善雨 ,  金善贤 ,  朴镐雨 ,  李应揆 ,  李昌根 ,  井原久典

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L27/144

Abstract: 一种半导体器件包括在下基板上的下绝缘层、在下绝缘层内部的下焊盘结构、在下绝缘层上的上绝缘层、在上绝缘层内部的上焊盘结构、以及在上绝缘层上的上基板。通路插塞穿过上基板、上绝缘层和下绝缘层中的每个的至少一部分，并且与上焊盘结构和下焊盘结构接触。上焊盘结构包括多个上焊盘导电层和在上焊盘导电层之间的上连接层。上连接层包括导电图案，该导电图案具有与上焊盘导电层中的至少一个的形状不同的形状。通路插塞与上焊盘导电层和上连接层直接接触。

公开(公告)号：CN109962045B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201811195151.1

申请日：2018-10-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴善雨 ,  金善贤 ,  朴镐雨 ,  李应揆 ,  李昌根 ,  井原久典

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L27/144

Abstract: 一种半导体器件包括在下基板上的下绝缘层、在下绝缘层内部的下焊盘结构、在下绝缘层上的上绝缘层、在上绝缘层内部的上焊盘结构、以及在上绝缘层上的上基板。通路插塞穿过上基板、上绝缘层和下绝缘层中的每个的至少一部分，并且与上焊盘结构和下焊盘结构接触。上焊盘结构包括多个上焊盘导电层和在上焊盘导电层之间的上连接层。上连接层包括导电图案，该导电图案具有与上焊盘导电层中的至少一个的形状不同的形状。通路插塞与上焊盘导电层和上连接层直接接触。